Реферат: Сформулированы основные условия, предъявляемые к катализатору синтеза вискеров SiC - он должен плавиться в выбранном диапазоне температур, активировать исходные Si- и C-содержащие реагенты (восстанавливать их до атомарных Si и C) и растворять их в своем объеме. Поиск новых катализаторов был основан на систематическом анализе многокомпонентных фазовых диаграмм на основе металлов VIII подгруппы. Было обнаружено, что композиции состава Fe-Mn-C-Si и Ni-Mn-C-Si обладают пониженной точкой плавления по сравнению с монометаллическими системами. Так, точка плавления для эвтектики системы Fe-Mn-C находится в районе 1080-1100 C, тогда как для системы без добавления Mn точка плавления выше на 180-250 C. Добавление кремния еще больше снижает точку плавления эвтектической смеси. На основании проведенного анализа были получены новые катализаторы синтеза вискеров карбида кремния. Было показано, что рост вискеров SiC на многокомпонентных катализаторах Fe/Mn и Ni/Mn происходит при температуре 1050-1080 C, что на 150-300 C ниже, чем для однокомпонентных катализаторов. Полученные данные позволяют предположить, что возможно дальнейшее понижение температуры синтеза вискеров SiC, что может иметь большое значение для получения новых полупроводниковых устройств и конструкционных материалов.

Библиографическая ссылка: Mazov I.N. , Avdeev V.I. , Kuznetsov V.L.
Thermodynamic and Quantum-Chemical Analysis of Silicon Carbide Nucleation on the Surface of Metal Particle
XV Russian International Conference on Chemical Thermodynamics 27 Jun - 2 Jul 2005