Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния - Conference attendances | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния Conference attendances

Language

Русский

Participant type

Стендовый

Conference

XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
07-11 Oct 2013 , Новосибирск

Authors

Golyashov Vladimir A. ^1,2 , Preobrazhenskii Valerii Vladimirovich ² , Putyato Mikhail Alʹbertovich ² , Semyagin Boris Re'movich ² , Dmitriev Dmitrij Vladimirovich ² , Toropov A. I. ² , Valisheva Natalʹya Aleksandrovna ² , Prosvirin Igor Petrovich ³ , Kalinkin Aleksandr Vasilʹevich ³ , Bakulin Aleksandr Viktorovich ⁴ , Kulʹkova Svetlana Evgenʹevna ⁴ , Tereshchenko Oleg E. ^1,2

Affiliations

1	Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS
2	Novosibirsk National Research University
3	Boreskov Institute of Catalysis SB RAS
4	Institute of Strength Physics and Materials Science SB RAS

Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013