Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов - Conference attendances | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов Conference attendances

Language

Русский

Participant type

Стендовый

Conference

Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных)
15-18 Sep 2014 , Новосибирск

Authors

Golyashov Vladimir A. ¹ , Preobrazhenskii Valerii Vladimirovich ¹ , Putyato Mikhail Alʹbertovich ¹ , Semyagin Boris Re'movich ¹ , Dmitriev Dmitrij Vladimirovich ¹ , Toropov S. N. ¹ , Aksyonov Maksim Sergeevich ¹ , Valisheva Natalʹya Aleksandrovna ¹ , Prosvirin Igor Petrovich ² , Kalinkin Aleksandr Vasilʹevich ² , Bukhtiyarov Valerii Ivanovich ² , Bakulin Aleksandr Viktorovich ³ , Kulʹkova Svetlana Evgenʹevna ³ , Tereshchenko Oleg E. ^1,4

Affiliations

1	Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS
2	Boreskov Institute of Catalysis SB RAS
3	Institute of Strength Physics and Materials Science SB RAS
4	Novosibirsk National Research University

Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов С.Н. , Аксёнов М.С. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бухтияров В.И. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных) 15-18 сент. 2014