Влияние пористой структуры диоксида кремния на электропроводность протонного композиционного электролита CsHSO4-SiO2 Научная публикация
Журнал |
Неорганические материалы
ISSN: 0002-337X |
||||
---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 1998, Том: 34, Номер: 11, Страницы: 1347-1352 Страниц : 6 | ||||
Авторы |
|
||||
Организации |
|
Реферат:
Исследованы транспортные свойства высокопроводящих протонных композиционных электролитов (1-x)CsHSO[4]-xSiO[2], где x=0-0,8, на основе диоксидов кремния с различной удельной поверхностью (S[уд]=100-580 м{2}/г) и пористостью (V[пор]=10{-6} м{3}/г, R[пор]=14-1000 A). Электропроводность при низких температурах зависит от состава и при оптимальном содержании кремнезема x=0,5-0,7 на 2-2,5 порядка превышает проводимость исходного CsHSO[4]. Низкотемпературная проводимость зависит от размера пор кремнезема, а наибольшее увеличение проводимости наблюдается при размере пор 35-100 A.
Библиографическая ссылка:
Пономарева В.Г.
, Лаврова Г.В.
, Симонова Л.Г.
Влияние пористой структуры диоксида кремния на электропроводность протонного композиционного электролита CsHSO4-SiO2
Неорганические материалы. 1998. Т.34. №11. С.1347-1352. РИНЦ
Влияние пористой структуры диоксида кремния на электропроводность протонного композиционного электролита CsHSO4-SiO2
Неорганические материалы. 1998. Т.34. №11. С.1347-1352. РИНЦ
Переводная:
Ponomareva V.G.
, Lavrova G.V.
, Simonova L.G.
Effect of Silica Pore Structure on the Conduction Behavior of CsHSO4/SiO2 Composite Proton Electrolytes
Inorganic Materials. 1998. V.34. N11. P.1136-1140. WOS Scopus РИНЦ
Effect of Silica Pore Structure on the Conduction Behavior of CsHSO4/SiO2 Composite Proton Electrolytes
Inorganic Materials. 1998. V.34. N11. P.1136-1140. WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 27 дек. 1996 г. |
Опубликована в печати: | 1 нояб. 1998 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 21268695 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 1 |