Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса Тезисы доклада
Конференция |
3-я школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» 07-09 дек. 2021 , Новосибирск |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Сборник | Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» Сборник, ИФП СО РАН. Новосибирск.2021. 54 c. РИНЦ |
||||||
Вых. Данные | Год: 2021, Страницы: 18-19 Страниц : 2 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Российский научный фонд | 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8) |
Библиографическая ссылка:
Исхакзай Р.М.Х.
, Перевалов Т.В.
, Просвирин И.П.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса
В сборнике Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем». – ИФП СО РАН., 2021. – C.18-19. РИНЦ
Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса
В сборнике Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем». – ИФП СО РАН., 2021. – C.18-19. РИНЦ
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 47344380 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований