The Structure of Si Nanocrystals on SiC Научная публикация
Журнал |
Journal of Electron Microscopy (up to 2012)
ISSN: 0022-0744 , E-ISSN: 1477-9986 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2001, Том: 50, Номер: 4, Страницы: 311-319 Страниц : 9 DOI: 10.1093/jmicro/50.4.311 | ||||||
Ключевые слова | High-resolution TEM, Molecular beam epitaxy, Si nanocrystals, SiC, Strain analysis | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Реферат:
Si nanocrystals grown on cubic SiC have been characterized using high‐resolution transmission electron microscopy. At lower temperatures nanocrystals grow in two different orientations, whereas at higher temperatures they grow in a single preferred orientation. The nanocrystals are shown to be unstrained; in some cases possibly due to the presence of a thin amorphous wetting layer.
Библиографическая ссылка:
Kaiser U.
, Chuvilin A.
, Saitoh K.
, Richter W.
The Structure of Si Nanocrystals on SiC
Journal of Electron Microscopy (up to 2012). 2001. V.50. N4. P.311-319. DOI: 10.1093/jmicro/50.4.311 WOS Scopus РИНЦ
The Structure of Si Nanocrystals on SiC
Journal of Electron Microscopy (up to 2012). 2001. V.50. N4. P.311-319. DOI: 10.1093/jmicro/50.4.311 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 10 апр. 2001 г. |
Принята к публикации: | 24 мая 2001 г. |
Опубликована в печати: | 1 июл. 2001 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000171067700004 |
Scopus | 2-s2.0-0034805298 |
РИНЦ | 13387614 |
Chemical Abstracts | 2001:757651 |
Chemical Abstracts (print) | 136:61710 |
OpenAlex | W2043029871 |