Реферат: Методом химического осаждения получены слои диоксида гафния из газовой фазы с использованием летучих металлоорганических соединений: (C5H5)2Hf(CH3)2, (C5H5)2Hf(N(C2H5)2)2, Hf(dpm)4. Методами рентгенофазового анализа, РФЭ- и ИК-спектроскопии исследовано химическое строение пленок. Показано, что состав пленок соответствует HfO2, а структура - моноклинной модификации. На границе раздела HfO2/Si зафиксированы силицид и силикат гафния. Появление силицида гафния связано с дефицитом кислорода, возникающим в результате травления пленки ионами аргона. Силикат гафния образуется при отжиге пленок в результате взаимодействия оксидов гафния и кремния. Из вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик тестовых А1/НfO2/Si-структур определены диэлектрическая проницаемость и удельное сопротивление полученных пленок: 15-20 и ~1015 Ом см соответственно.

Библиографическая ссылка: Яковкина Л.В. , Кичай В.Н. , Смирнова Т.П. , Каичев В.В. , Шубин Ю.В. , Морозова Н.Б. , Жерикова К.В. , Игуменов И.К.
Получение и свойства тонких пленок HfO2
Неорганические материалы. 2005. Т.41. №12. С.1474-1479. RSCI РИНЦ

Переводная: Yakovkina L.V. , Kichai V.N. , Smirnova T.P. , Kaichev V.V. , Shubin Y.V. , Morozova N.B. , Zherikova K.V. , Igumenov I.K.
Preparation and Properties of Thin HfO2 Films
Inorganic Materials. 2005. V.41. N12. P.1300-1304. DOI: 10.1007/s10789-005-0305-8 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex

Даты:

Поступила в редакцию:	23 мар. 2005 г.
Опубликована в печати:	1 дек. 2005 г.

Идентификаторы БД:

Russian Science Citation Index (RSCI):	RSCI:9150819
РИНЦ:	9150819

Цитирование в БД:

БД	Цитирований
РИНЦ	6