Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов. | Sciact - CRIS-система Института катализа

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов. Научная публикация

Журнал

Письма в Журнал технической физики
ISSN: 0320-0116

Вых. Данные

Год: 2012, Том: 38, Номер: 1, Страницы: 27-36 Страниц : 10

Авторы

Терещенко О.Е. ¹ , Паулиш А.Г. ¹ , Неклюдова М.А. ¹ , Шамирзаев Т.С. ¹ , Ярошевич А.С. ¹ , Просвирин И.П. ^2,3 , Жаксылыкова И.Э. ¹ , Дмитриев Д.В. ¹ , Торопов А.И. ¹ , Варнаков С.Н. ⁴ , Рауцкий М.В. ⁴ , Волков Н.В. ⁴ , Овчинников С.Г. ⁵ , Латышев А.В. ⁵

Организации

1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2	Новосибирский государственный университет
3	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
4	Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск
5	Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск

Информация о финансировании (3)

1	Российский фонд фундаментальных исследований	10-02-91067
2	Сибирское отделение Российской академии наук
3	Президиум РАН

Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также элек- трические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Терещенко О.Е. , Паулиш А.Г. , Неклюдова М.А. , Шамирзаев Т.С. , Ярошевич А.С. , Просвирин И.П. , Жаксылыкова И.Э. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Варнаков С.Н. , Рауцкий М.В. , Волков Н.В. , Овчинников С.Г. , Латышев А.В.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов.
Письма в Журнал технической физики. 2012. Т.38. №1. С.27-36. РИНЦ

Tereshhenko O.E. , Paulish A.G. , Neklyudova M.A. , Shamirzaev T.S. , Yaroshevich A.S. , Prosvirin I.P. , Zhaksylykova I. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Varnakov S.N. , Rautskii M.V. , Volkov N.V. , Ovchinnikov S.G. , Latyshev A.V.
Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin
Technical Physics Letters. 2012. V.38. N1. P.12-16. DOI: 10.1134/S1063785012010154 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex

Поступила в редакцию:

26 июл. 2011 г.

РИНЦ:

20327753

Пока нет цитирований