Sciact
  • EN
  • RU

Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin Научная публикация

Журнал Technical Physics Letters
ISSN: 1063-7850 , E-ISSN: 1090-6533
Вых. Данные Год: 2012, Том: 38, Номер: 1, Страницы: 12-16 Страниц : 5 DOI: 10.1134/S1063785012010154
Ключевые слова GaAs; Technical Physic Letter; Substrate Side; Atomic Force Micro; Magneto Optical Kerr Effect
Авторы Tereshhenko O.E. 1,2 , Paulish A.G. 1 , Neklyudova M.A. 1 , Shamirzaev T.S. 1 , Yaroshevich A.S. 1 , Prosvirin I.P. 2,5 , Zhaksylykova I. 1 , Dmitriev D.V. 1 , Toropov A.I. 1 , Varnakov S.N. 3 , Rautskii M.V. 1 , Volkov N.V. 3,4 , Ovchinnikov S.G. 3 , Latyshev A.V. 1,5
Организации
1 Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 630090 Russia
2 Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 644053 Russia
3 Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036 Russia
4 Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, 660014 Russia
5 Novosibirsk State University, Novosibirsk, 630090 Russia

Информация о финансировании (3)

1 Российский фонд фундаментальных исследований 10-02-91067
2 Сибирское отделение Российской академии наук
3 Президиум РАН

Реферат: Conditions necessary for the formation of a Fe/GaAs interface have been established and the electrical, magnetic, and optical properties of Pd/Fe/GaAs heterostructures with InGaAs quantum wells have been studied. The possibility of obtaining an epitaxial layer of Fe on GaAs(001) surface at room temperature is demonstrated. The magnetization curve of Fe layer exhibits hysteresis with an easy axis in plane of the sample. Iron exhibits surface segregation by diffusion through a 4-nm-thick Pd layer. The properties of obtained Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures show evidence for their possible use in optical detectors of free-electron spin.
Библиографическая ссылка: Tereshhenko O.E. , Paulish A.G. , Neklyudova M.A. , Shamirzaev T.S. , Yaroshevich A.S. , Prosvirin I.P. , Zhaksylykova I. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Varnakov S.N. , Rautskii M.V. , Volkov N.V. , Ovchinnikov S.G. , Latyshev A.V.
Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin
Technical Physics Letters. 2012. V.38. N1. P.12-16. DOI: 10.1134/S1063785012010154 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
Оригинальная: Терещенко О.Е. , Паулиш А.Г. , Неклюдова М.А. , Шамирзаев Т.С. , Ярошевич А.С. , Просвирин И.П. , Жаксылыкова И.Э. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Варнаков С.Н. , Рауцкий М.В. , Волков Н.В. , Овчинников С.Г. , Латышев А.В.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов.
Письма в Журнал технической физики. 2012. Т.38. №1. С.27-36. РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: 26 июл. 2011 г.
Опубликована в печати: 1 янв. 2012 г.
Опубликована online: 17 февр. 2012 г.
Идентификаторы БД:
Web of science: WOS:000300454100005
Scopus: 2-s2.0-84857330224
РИНЦ: 17977121
Chemical Abstracts: 2012:239389
Chemical Abstracts (print): 157:341958
OpenAlex: W2024214631
Цитирование в БД:
БД Цитирований
Web of science 2
Scopus 2
РИНЦ 3
OpenAlex 2
Альметрики: