AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов | Sciact - CRIS-система Института катализа

AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов Научная публикация

Журнал

Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222

Вых. Данные

Год: 2017, Том: 51, Номер: 3, Страницы: 395-402 Страниц : 8 DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287

Авторы

Журавлев К.С. ^1,2 , Малин Т.В. ¹ , Мансуров В.Г. ¹ , Терещенко О.Е. ^1,2 , Абгарян К.К. ³ , Ревизников Д.Л. ³ , Земляков В.Е. ⁴ , Егоркин В.И. ⁴ , Парнес Я.М. ⁵ , Тихомиров В.Г. ⁵ , Просвирин И.П. ⁶

Организации

1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
2	Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
3	Вычислительный центр им. А.А. Дородницына. Федеральный исследовательский центр ”Информатика и управление“ Российской академии наук, 119333 Москва, Россия
4	Национальный исследовательский университет ”МИЭТ“, 124498 Зеленоград, Москва, Россия
5	ЗАО ”Светлана–Электронприбор“, 194156 Санкт-Петербург, Россия
6	Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Информация о финансировании (1)

Министерство образования и науки Российской Федерации

14.578.21.0062 (RFMEFI57814X0062)

Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока.

Журавлев К.С. , Малин Т.В. , Мансуров В.Г. , Терещенко О.Е. , Абгарян К.К. , Ревизников Д.Л. , Земляков В.Е. , Егоркин В.И. , Парнес Я.М. , Тихомиров В.Г. , Просвирин И.П.
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов

Физика и техника полупроводников. 2017. Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287RSCI РИНЦ OpenAlex

Zhuravlev K.S. , Malin T.V. , Mansurov V.G. , Tereshenko O.E. , Abgaryan K.K. , Reviznikov D.L. , Zemlyakov V.E. , Egorkin V.I. , Parnes Y.M. , Tikhomirov V.G. , Prosvirin I.P.
AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors
Semiconductors. 2017. V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277 WOS Scopus РИНЦ CAPlus OpenAlex

Полный текст от издателя

Поступила в редакцию:	30 авг. 2016 г.
Принята к публикации:	5 сент. 2016 г.
Опубликована в печати:	1 мар. 2017 г.

Russian Science Citation Index (RSCI):	RSCI:29006036
РИНЦ:	29006036
OpenAlex:	W2592689031

БД	Цитирований
РИНЦ	11