Sciact
  • EN
  • RU

AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors Научная публикация

Журнал Semiconductors
ISSN: 1063-7826 , E-ISSN: 1090-6479
Вых. Данные Год: 2017, Том: 51, Номер: 3, Страницы: 379-386 Страниц : 8 DOI: 10.1134/S1063782617030277
Ключевые слова ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS; AlGaN/GaN HETEROSTRUCTURES; HEMTS; ENHANCEMENT; MODE; VOLTAGE; F(T)
Авторы Zhuravlev K.S. 1,2 , Malin T.V. 1 , Mansurov V.G. 1 , Tereshenko O.E. 1,2 , Abgaryan K.K. 3 , Reviznikov D.L. 3 , Zemlyakov V.E. 4 , Egorkin V.I. 4 , Parnes Ya.M. 5 , Tikhomirov V.G. 5 , Prosvirin I.P. 6
Организации
1 Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, pr. Akad. Lavrent’eva 13, Novosibirsk, 630090 Russia
2 Novosibirsk State University, ul. Pirogova 2, Novosibirsk, 630090 Russia
3 Dorodnicyn Computing Centre of the Russian Academy of Sciences, ul. Vavilova 40, Moscow, 119333 Russia
4 National Research University of Electronic Technology (MIET), 4806 proezd 5, Zelenograd, Moscow, 124498 Russia
5 Joint Stock Company “Svetlana-Electronpribor”, pr. Engelsa 27, korp. 164, St. Petersburg, 194156 Russia
6 Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, pr. Akad. Lavrent’eva 5, Novosibirsk, 630090 Russia

Информация о финансировании (1)

1 Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0062 (RFMEFI57814X0062)

Реферат: The structure of AlN/GaN heterostructures with an ultrathin AlN barrier is calculated for normally-off transistors. The molecular-beam epitaxy technology of in situ passivated SiN/AlN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas is developed. Normally-off transistors with a maximum current density of ~1 A/mm, a saturation voltage of 1 V, a transconductance of 350 mS/mm, and a breakdown voltage of more than 60 V are demonstrated. Gate lag and drain lag effects are almost lacking in these transistors.
Библиографическая ссылка: Zhuravlev K.S. , Malin T.V. , Mansurov V.G. , Tereshenko O.E. , Abgaryan K.K. , Reviznikov D.L. , Zemlyakov V.E. , Egorkin V.I. , Parnes Y.M. , Tikhomirov V.G. , Prosvirin I.P.
AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors
Semiconductors. 2017. V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277 WOS Scopus РИНЦ CAPlus OpenAlex
Оригинальная: Журавлев К.С. , Малин Т.В. , Мансуров В.Г. , Терещенко О.Е. , Абгарян К.К. , Ревизников Д.Л. , Земляков В.Е. , Егоркин В.И. , Парнес Я.М. , Тихомиров В.Г. , Просвирин И.П.
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
Физика и техника полупроводников. 2017. Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287RSCI РИНЦ OpenAlex
Даты:
Поступила в редакцию: 30 авг. 2016 г.
Принята к публикации: 5 сент. 2016 г.
Опубликована в печати: 1 мар. 2017 г.
Опубликована online: 16 мар. 2017 г.
Идентификаторы БД:
Web of science: WOS:000397924100021
Scopus: 2-s2.0-85015624299
РИНЦ: 29496813
Chemical Abstracts: 2017:444533
OpenAlex: W2619460951
Цитирование в БД:
БД Цитирований
Web of science 4
Scopus 5
РИНЦ 6
OpenAlex 7
Альметрики: