Sciact
  • EN
  • RU

Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса Научная публикация

Журнал Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0370-274X
Вых. Данные Год: 2022, Том: 115, Номер: 1-2, Страницы: 89-93 Страниц : 5 DOI: 10.31857/s1234567822020045
Авторы Перевалов Т.В. 1 , Исхакзай Р.М.Х. 1 , Просвирин И.П. 2 , Алиев В.Ш. 1,3 , Гриценко В.А. 1,3
Организации
1 Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
2 Институт катализа им. Г. К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
3 Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия

Информация о финансировании (2)

1 Российский научный фонд 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8)
2 Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018) FWGW-2021-0003 (121052600081-2)(0242-2021-0003)

Реферат: В работе показано, что обработка в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса (ЭЦР) стехиометрического HfO2, синтезированного методом атомно-слоевого осаждения, приводит к существенному обеднению пленки кислородом и формированию нестехиометрического HfOx (x < 2). Степень обеднения кислородом тем выше, чем больше время обработки. Перенос заряда в исследуемых пленках осуществляется по механизму фонон-облегченного туннелирования между ловушками, в качестве которых выступают вакансии кислорода. Установлено, что структуры p++-Si/HfOx/Ni, где оксидный слой обрабатывался в водородной ЭЦР-плазме, обладают мемристорными свойствами: переключаются обратимым образом между состояниями с высоким и низким сопротивлением. Полученные мемристорные структуры являются бесформовочными.
Библиографическая ссылка: Перевалов Т.В. , Исхакзай Р.М.Х. , Просвирин И.П. , Алиев В.Ш. , Гриценко В.А.
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №1-2. С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045 РИНЦ OpenAlex
Переводная: Perevalov T.V. , Iskhakzai R.M.K. , Prosvirin I.P. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A.
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
Даты:
Поступила в редакцию: 17 нояб. 2021 г.
Принята к публикации: 25 нояб. 2021 г.
Опубликована в печати: 25 янв. 2022 г.
Идентификаторы БД:
РИНЦ: 47484141
OpenAlex: W4205730261
Цитирование в БД:
БД Цитирований
РИНЦ 2
Альметрики: