Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса Full article

Journal

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0370-274X

Output data

Year: 2022, Volume: 115, Number: 1-2, Pages: 89-93 Pages count : 5 DOI: 10.31857/s1234567822020045

Authors

Перевалов Т.В. ¹ , Исхакзай Р.М.Х. ¹ , Просвирин И.П. ² , Алиев В.Ш. ^1,3 , Гриценко В.А. ^1,3

Affiliations

1	Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
2	Институт катализа им. Г. К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
3	Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия

Funding (2)

1	Russian Science Foundation	19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8)
2	Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation	FWGW-2021-0003 (121052600081-2)(0242-2021-0003)

В работе показано, что обработка в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса (ЭЦР) стехиометрического HfO2, синтезированного методом атомно-слоевого осаждения, приводит к существенному обеднению пленки кислородом и формированию нестехиометрического HfOx (x < 2). Степень обеднения кислородом тем выше, чем больше время обработки. Перенос заряда в исследуемых пленках осуществляется по механизму фонон-облегченного туннелирования между ловушками, в качестве которых выступают вакансии кислорода. Установлено, что структуры p++-Si/HfOx/Ni, где оксидный слой обрабатывался в водородной ЭЦР-плазме, обладают мемристорными свойствами: переключаются обратимым образом между состояниями с высоким и низким сопротивлением. Полученные мемристорные структуры являются бесформовочными.

Перевалов Т.В. , Исхакзай Р.М.Х. , Просвирин И.П. , Алиев В.Ш. , Гриценко В.А.
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №1-2. С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045 РИНЦ OpenAlex

Perevalov T.V. , Iskhakzai R.M.K. , Prosvirin I.P. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A.
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex

Submitted:	Nov 17, 2021
Accepted:	Nov 25, 2021
Published print:	Jan 25, 2022

Elibrary:	47484141
OpenAlex:	W4205730261

DB	Citing
Elibrary	2