Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора | Sciact - CRIS-система Института катализа

Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора Научная публикация

Журнал

Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294

Вых. Данные

Год: 2022, Том: 64, Номер: 7, Страницы: 787-793 Страниц : 7 DOI: 10.21883/ftt.2022.07.52562.308

Ключевые слова

нитрид бора (bn), фотоэлектронная спектроскопия (xps, рфэс), квантово-химическое моделирование, теория функционала плотности (тфп, dft)

Авторы

Перевалов Т.В. ¹ , Гриценко В.А. ^1,2 , Бухтияров А.В. ³ , Просвирин И.П. ³

Организации

1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2	Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3	ЦКП ”СКИФ“, Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия

Информация о финансировании (2)

1	Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018)	FWGW-2021-0003 (121052600081-2)(0242-2021-0003)
2	Российский фонд фундаментальных исследований	18-57-80006 (АААА-А18-118092090072-3)

Изучается электронная структура дефектов вакансионного типа в перспективном для микроэлектроники гексагональном нитриде бора (h-BN), синтезированном химическим осаждением из газовой фазы. Исследования проводятся с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и моделирования в рамках теории функционала плотности. Показано, что бомбардировка h-BN ионами аргона приводит не только к очищению приповерхностного слоя от органических загрязнений, но и к генерации высокой концентрации собственных дефектов, преимущественно дивакансий бор-азот. При этом концентрация дивакансий бор-азот тем больше, чем больше время бомбардировки. Дивакансия бор-азот в h-BN является существенно более энергетически выгодным дефектом, чем изолированные вакансии бора и азота. Делается вывод, что наиболее вероятным диамагнитным дефектом вакансионного типа, способным участвовать в локализации и, как следствие, в транспорте заряда в пленках h-BN является дивакансия B-N.

Перевалов Т.В. , Гриценко В.А. , Бухтияров А.В. , Просвирин И.П.
Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора
Физика твердого тела. 2022. Т.64. №7. С.787-793. DOI: 10.21883/ftt.2022.07.52562.308 РИНЦ OpenAlex СКИФ ID

Поступила в редакцию:	10 мар. 2022 г.
Опубликована online:	29 апр. 2022 г.
Принята к публикации:	12 июн. 2022 г.

РИНЦ:	48678393
OpenAlex:	W4293201912
СКИФ ID:	966

Пока нет цитирований