Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора Full article

Journal

Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294

Output data

Year: 2022, Volume: 64, Number: 7, Pages: 787-793 Pages count : 7 DOI: 10.21883/ftt.2022.07.52562.308

Tags

нитрид бора (bn), фотоэлектронная спектроскопия (xps, рфэс), квантово-химическое моделирование, теория функционала плотности (тфп, dft)

Authors

Перевалов Т.В. ¹ , Гриценко В.А. ^1,2 , Бухтияров А.В. ³ , Просвирин И.П. ³

Affiliations

1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2	Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3	ЦКП ”СКИФ“, Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия

Funding (2)

1	Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation	FWGW-2021-0003 (121052600081-2)(0242-2021-0003)
2	Russian Foundation for Basic Research	18-57-80006 (АААА-А18-118092090072-3)

Изучается электронная структура дефектов вакансионного типа в перспективном для микроэлектроники гексагональном нитриде бора (h-BN), синтезированном химическим осаждением из газовой фазы. Исследования проводятся с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и моделирования в рамках теории функционала плотности. Показано, что бомбардировка h-BN ионами аргона приводит не только к очищению приповерхностного слоя от органических загрязнений, но и к генерации высокой концентрации собственных дефектов, преимущественно дивакансий бор-азот. При этом концентрация дивакансий бор-азот тем больше, чем больше время бомбардировки. Дивакансия бор-азот в h-BN является существенно более энергетически выгодным дефектом, чем изолированные вакансии бора и азота. Делается вывод, что наиболее вероятным диамагнитным дефектом вакансионного типа, способным участвовать в локализации и, как следствие, в транспорте заряда в пленках h-BN является дивакансия B-N.

Перевалов Т.В. , Гриценко В.А. , Бухтияров А.В. , Просвирин И.П.
Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора
Физика твердого тела. 2022. Т.64. №7. С.787-793. DOI: 10.21883/ftt.2022.07.52562.308 РИНЦ OpenAlex publication_identifier_short.sciact_skif_identifier_type

Submitted:	Mar 10, 2022
Published online:	Apr 29, 2022
Accepted:	Jun 12, 2022

Elibrary:	48678393
OpenAlex:	W4293201912
publication_identifier.sciact_skif_identifier_type:	966

Пока нет цитирований