Аморфные диэлектрические пленки SiCNH, полученные методом PECVD из паров гексаметилдисилазана | Sciact - CRIS-система Института катализа

Аморфные диэлектрические пленки SiCNH, полученные методом PECVD из паров гексаметилдисилазана Научная публикация

Журнал

Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463

Вых. Данные

Год: 2025, Том: 66, Номер: 11, Номер статьи : 155150, Страниц : 17 DOI: 10.26902/JSC_id155150

Ключевые слова

amorphous SiCNH films,Pecvd,hexamethyldisilazane,dielectric properties,Cu diffusion barrier,Xps,optical emission spectroscopy,аморфные пленки SiCNH,Pecvd,гексаметилдисилазан,диэлектрические свойства,диффузионно-барьерный слой,РФЭС,оптическая эмиссионная спектроскопия

Авторы

Ермакова Е.Н. ¹ , Плеханов А.Г. ¹ , Шаяпов В.Р. ¹ , Суляева В.С. ¹ , Максимовский Е.А. ¹ , Петухова Д.Е. ¹ , Сараев А.А. ² , Герасимов Е.Ю. ² , Кириенко В.В. ³ , Хомяков М.Н. ⁴ , Косинова М.Л. ¹

Организации

1	Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
2	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
4	Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия

Информация о финансировании (1)

Российский научный фонд

23-79-00026 (123041400012-0)

Синтез тонких аморфных пленок гидрогенизированного карбонитрида кремния осуществлялся в реакторе с плазмой ВЧ-разряда с использованием паров гексаметилдисилазана и гелия. Пленки SiC x N y :H различного состава получены путем варьирования температуры подложки и давления прекурсора в реакционной камере. Получены зависимости скорости роста, элементного состава, химического строения пленок, а также показателя преломления и коэффициента диэлектрической проницаемости от условий синтеза. Методом оптической эмиссионной спектроскопии определены компоненты плазмы. Методами ПЭМВР и ЭДС-картирования показано, что отожженный образец Cu/SiCNH/Si(100) имеет четкие границы раздела подложка/пленка и пленка/слой меди, диффузия меди не наблюдается. Тонкие пленки SiCNH с низким значением e можно рассматривать как перспективный диффузионно-барьерный слой для современных микросхем.

Ермакова Е.Н. , Плеханов А.Г. , Шаяпов В.Р. , Суляева В.С. , Максимовский Е.А. , Петухова Д.Е. , Сараев А.А. , Герасимов Е.Ю. , Кириенко В.В. , Хомяков М.Н. , Косинова М.Л.
Аморфные диэлектрические пленки SiCNH, полученные методом PECVD из паров гексаметилдисилазана
Журнал структурной химии. 2025. Т.66. №11. 155150 :1-17. DOI: 10.26902/JSC_id155150 РИНЦ

Ermakova E.N. , Plekhanov A.G. , Shayapov V.R. , Sulyaeva V.S. , Maksimovsky E.A. , Petukhova D.E. , Saraev A.A. , Gerasimov E.Y. , Kirienko V.V. , Khomyakov M.N. , Kosinova M.L.
Amorphous Dielectric SiCNH Films Prepared by PECVD Method from Hexamethyldisilazane Vapors
Journal of Structural Chemistry. 2025. V.66. N11. P.2292–2308. DOI: 10.1134/S0022476625110046

Поступила в редакцию:	26 авг. 2025 г.
Принята к публикации:	4 сент. 2025 г.
Опубликована в печати:	1 нояб. 2025 г.
Опубликована online:	28 нояб. 2025 г.

РИНЦ:

83257178

Пока нет цитирований