Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии | Sciact - CRIS-система Института катализа

Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Научная публикация

Журнал

Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463

Вых. Данные

Год: 2011, Том: 52, Номер: 3, Страницы: 495-502 Страниц : 8

Ключевые слова

ДИОКСИД ГАФНИЯ, АЛЮМИНАТ ГАФНИЯ, ОКСИД АЛЮМИНИЯ, БИНАРНЫЙ РАСТВОР, РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, ПОСЛОЙНЫЙ АНАЛИЗ

Авторы

Каичев В.В. ¹ , Дубинин Ю.В. ¹ , Смирнова Т.П. ² , Лебедев М.С. ²

Организации

1	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
2	Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск

Информация о финансировании (1)

Сибирское отделение Российской академии наук

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) с применением методики послойного анализа проведено исследование пленок твердых растворов (HfO2)x(Al2O3)1–x, синтезированных методом химического осаждения из газовой фазы. Продемонстрирована возможность определения структуры твердых бинарных растворов на основе анализа РФЭ спектров.

Каичев В.В. , Дубинин Ю.В. , Смирнова Т.П. , Лебедев М.С.
Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Журнал структурной химии. 2011. Т.52. №3. С.495-502. RSCI РИНЦ

Kaichev V.V. , Dubinin Y.V. , Smirnova T.P. , Lebedev M.S.
A Study of the Structure of (HfO2 ) x (Al2 O3)1−x /Si Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Journal of Structural Chemistry. 2011. V.52. N3. P.480-487. DOI: 10.1134/S002247661103005X WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex

Поступила в редакцию:	5 мар. 2010 г.
Принята к публикации:	29 мар. 2010 г.

Russian Science Citation Index (RSCI):	RSCI:17050325
РИНЦ:	17050325

БД	Цитирований
РИНЦ	4