Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Full article

Journal

Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463

Output data

Year: 2011, Volume: 52, Number: 3, Pages: 495-502 Pages count : 8

Tags

ДИОКСИД ГАФНИЯ, АЛЮМИНАТ ГАФНИЯ, ОКСИД АЛЮМИНИЯ, БИНАРНЫЙ РАСТВОР, РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, ПОСЛОЙНЫЙ АНАЛИЗ

Authors

Каичев В.В. ¹ , Дубинин Ю.В. ¹ , Смирнова Т.П. ² , Лебедев М.С. ²

Affiliations

1	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
2	Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск

Funding (1)

Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) с применением методики послойного анализа проведено исследование пленок твердых растворов (HfO2)x(Al2O3)1–x, синтезированных методом химического осаждения из газовой фазы. Продемонстрирована возможность определения структуры твердых бинарных растворов на основе анализа РФЭ спектров.

Каичев В.В. , Дубинин Ю.В. , Смирнова Т.П. , Лебедев М.С.
Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Журнал структурной химии. 2011. Т.52. №3. С.495-502. RSCI РИНЦ

Kaichev V.V. , Dubinin Y.V. , Smirnova T.P. , Lebedev M.S.
A Study of the Structure of (HfO2 ) x (Al2 O3)1−x /Si Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Journal of Structural Chemistry. 2011. V.52. N3. P.480-487. DOI: 10.1134/S002247661103005X WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex

Submitted:	Mar 5, 2010
Accepted:	Mar 29, 2010

RSCI:	RSCI:17050325
Elibrary:	17050325

DB	Citing
Elibrary	4