Реферат: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Ві2Sе3 к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (~ 1 см2) со средней квадратичной шероховатостью менее 0.1 нм и атомным разрешением структуры (1х1)-(0001) Ві2Sе3. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Ві2Sе3.

Библиографическая ссылка: Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Просвирин И.П. , Шкляев А.А.
Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.94. №6. С.500-503. РИНЦ

Переводная: Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Atuchin V.V. , Romanyuk K.N. , Makarenko S.V. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Shklyaev A.A.
Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex

Даты:

Поступила в редакцию:	9 авг. 2011 г.
Опубликована в печати:	1 нояб. 2011 г.

Идентификаторы БД:

РИНЦ:

17214039

Цитирование в БД:

БД	Цитирований
РИНЦ	3