Sciact
  • EN
  • RU

Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Доклады на конференциях

Язык Русский
Тип доклада Устный
Конференция XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
20-25 февр. 2012 , Новоуральск
Авторы Чуркин С А 1 , Кох Константин Александрович 2 , Макаренко Сергей Викторович 1 , Голяшов Владимир Андреевич 1 , Кожухов Антон Сергеевич 3 , Щеглов Дмитрий Владимирович 3 , Атучин Виктор Валерьевич 3 , Романюк Константин Николаевич 1,3 , Просвирин Игорь Петрович 4 , Терещенко Олег Евгеньевич 1,3
Организации
1 Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
2 Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН
3 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
4 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
Библиографическая ссылка: Чуркин С.А. , Кох К.А. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Щеглов Д.В. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е.
Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников 20-25 февр. 2012