Sciact
  • EN
  • RU

Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Conference attendances

Language Русский
Participant type Устный
Conference XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
20-25 Feb 2012 , Новоуральск
Authors Churkin S A 1 , Kokh Konstantin Aleksandrovich 2 , Makarenko Sergej Viktorovich 1 , Golyashov Vladimir A. 1 , Kozhukhov Anton Sergeevich 3 , Shheglov Dmitrij Vladimirovich 3 , Atuchin Viktor Valerʹevich 3 , Romanyuk Konstantin Nikolaevich 1,3 , Prosvirin Igor Petrovich 4 , Tereshchenko Oleg E. 1,3
Affiliations
1 Novosibirsk National Research University
2 V.S. Sobolev Institute of Geology and Mineralogy SB RAS
3 Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS
4 Boreskov Institute of Catalysis SB RAS
Cite: Чуркин С.А. , Кох К.А. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Щеглов Д.В. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е.
Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников 20-25 февр. 2012