Silicon Carbonitride Films as a Promising Material Synthesized from New Sources Научная публикация
Журнал |
Chemistry for Sustainable Development
ISSN: 1817-1818 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2001, Том: 9, Номер: 7, Страницы: 23-29 Страниц : 7 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Реферат:
Silicon carbonitride films were synthesized by means of the chemical vapour deposition (CVD) process in the scheme with remote plasma. Initial compounds were the silyl derivatives of 1,1-dimethyl hydrazine: dimethyl(2,2-dimethylhydrazino)-silane and dimethyl-bis-(2,2-dimethylhydrazino)silane. The molecules of the monomers contain the bonds Si-N, Si-C and C-N which are necessary for the formation of silicon carbonitride.
Библиографическая ссылка:
Smirnova T.P.
, Badalyan A.M.
, Yakovkina L.V.
, Sysoeva N.P.
, Asanov I.P.
, Kaichev V.V.
, Bukhtiyarov V.I.
, Shmakov A.N.
, Rakhlin V.I.
, Fomina A.N.
Silicon Carbonitride Films as a Promising Material Synthesized from New Sources
Chemistry for Sustainable Development. 2001. V.9. N7. P.23-29. РИНЦ
Silicon Carbonitride Films as a Promising Material Synthesized from New Sources
Chemistry for Sustainable Development. 2001. V.9. N7. P.23-29. РИНЦ
Оригинальная:
Смирнова Т.П.
, Бадалян А.М.
, Яковкина Л.В.
, Сысоева Н.П.
, Асанов И.П.
, Каичев В.В.
, Бухтияров В.И.
, Шмаков А.Н.
, Рахлин В.И.
, Фомина А.Н.
Пленки карбонитрида кремния - перспективный функциональный материал, синтезированный из новых источников
Химия в интересах устойчивого развития. 2001. Т.9. №7. С.857-864. РИНЦ
Пленки карбонитрида кремния - перспективный функциональный материал, синтезированный из новых источников
Химия в интересах устойчивого развития. 2001. Т.9. №7. С.857-864. РИНЦ
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 30644034 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 3 |