Наноразмерные флуктуации потенциала в SiOx, синтезированном плазмохимическим осаждением
Full article
| Общее |
Language:
Русский,
Genre:
Full article,
Status:
Published,
Source type:
Original
|
| Journal |
Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294
|
| Output data |
Year: 2019,
Volume: 61,
Number: 12,
Pages: 2528–2535
Pages count
: 8
DOI:
10.21883/FTT.2019.12.48589.552
|
| Tags |
оксид кремния (SiO2), комбинационное (рамановское) рассеяние, фотоэлектронная спектроскопия (XPS, РФЭС), просвечивающая электронная микроскопия (HRTEM, ВРПЭМ), плазмохимическое
осаждение из газовой фазы (PECVD), резистивная память (RRAM |
| Authors |
Перевалов Т.В.
1,2
,
Володин В.А.
1,2
,
Новиков Ю.Н.
2
,
Камаев Г.Н.
1
,
Гриценко В.А.
1,2,3
,
Просвирин И.П.
4
|
| Affiliations |
| 1 |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
|
| 2 |
Новосибирский государственный университет
|
| 3 |
Новосибирский государственный технический университет
|
| 4 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
|
|
Funding (3)
|
1
|
Russian Science Foundation
|
18-49-08001 (АААА-А18-118030590007-2)
|
|
2
|
Ministry of Science and Technology
|
107-2923-E-009-001-MY3
|
|
3
|
Russian Science Foundation
|
19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8)
|
Работа посвящена исследованию атомной структуры и электронного спектра пленок a-SiOx : H, нанесенных на кремниевые и стеклянные подложки методом плазмохимического осаждения. В зависимости от условий подачи кислорода в реактор стехиометрический параметр x пленок варьировался в диапазоне значений от 0.57 до 2. Характеризация строения пленок и особенностей их электронной структуры в зависимости от величины параметра x осуществлялась с применением комплекса структурных и оптических методик, а также ab initio квантово-химического моделирования для модельной структуры SiOx. Установлено, что изучаемые пленки SiOx : H главным образом состоят из субоксидов кремния SiOy, а также кластеров SiO2 и аморфного кремния. На основе пространственных флуктуаций химического состава предложена модель флуктуации ширины запрещенной зоны и потенциала для электронов и дырок в SiOx. Полученные данные позволят более точно моделировать транспорт заряда в пленках a-SiOx : H, что важно для создания на их основе элементов энергонезависимой памяти и мемристоров. Ключевые слова: оксид кремния (SiO2), комбинационное (рамановское) рассеяние, фотоэлектронная спектроскопия (XPS, РФЭС), просвечивающая электронная микроскопия (HRTEM, ВРПЭМ), плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD), резистивная память (RRAM).