Моделирование фотоэлектронных спектров валентной O2p-зоны оксида цинка с использованием кластерных расчетов методом Xα-рассеянных волн
Full article
| Common |
Language:
Русский,
Genre:
Full article,
Status:
Published,
Source type:
Original
|
| Journal |
Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463
|
| Output data |
Year: 1997,
Volume: 38,
Number: 5,
Pages: 877-886
Pages count
: 10
|
| Authors |
Михеева Э.П.
1
,
Жидомиров Г.М.
1
,
Рузанкин С.Ф.
1
,
Леонтьев С.А.
1
,
Девятов В.Г.
1
,
Кощеев С.В.
1
,
Черкашин А.Е.
1
|
| Affiliations |
| 1 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр-т акад. Лаврентьева, 5
|
|
На основании кластерных расчетов методом Xα-рассеянных волн осуществлено моделирование фотоэлектронных спектров (ФЭС) валентной O2p-зоны оксида цинка в широком диапазоне энергий падающего кванта hν (от 30 до 150 эВ и 1253,6 эВ). Для кластера Zn10O10 рассчитанные интенсивности ФЭС хорошо воспроизводят характерные особенности экспериментальных спектров. Показано, что Zn3d-электроны принимают участие в ковалентном связывании цинка и кислорода. Примесь Zn3d-состояний в гибридных орбиталях валентной зоны составляет ≈7%.