Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma Научная публикация
| Журнал |
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters)
ISSN: 0021-3640 , E-ISSN: 1090-6487 |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Вых. Данные | Год: 2022, Том: 115, Номер: 2, Страницы: 79-83 Страниц : 5 DOI: 10.1134/s0021364022020084 | ||||||
| Ключевые слова | ATOMIC LAYER DEPOSITION; FILMS | ||||||
| Авторы |
|
||||||
| Организации |
|
Информация о финансировании (2)
| 1 | Российский научный фонд | 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8) |
| 2 | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018) | FWGW-2021-0003 (121052600081-2)(0242-2021-0003) |
Реферат:
It is shown that the treatment of stoichiometric HfO2, which is synthesized by atomic layer deposition, in electron cyclotron resonance hydrogen plasma leads to a significant depletion of the film in oxygen and the formation of nonstoichiometric HfOx ( x<2 ). The longer the treatment time, the higher the degree of oxygen depletion. The charge transfer in the films under study occurs by phonon-assisted tunneling between oxygen vacancies serving as traps. It has been found that the p++ -Si/HfOx/Ni structures, where the oxide layer is treated in the electron cyclotron resonance hydrogen plasma, have memristor properties: they are reversibly switched between high and low resistance states. The fabricated memristor structures are forming-free.
Библиографическая ссылка:
Perevalov T.V.
, Iskhakzai R.M.K.
, Prosvirin I.P.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
Оригинальная:
Перевалов Т.В.
, Исхакзай Р.М.Х.
, Просвирин И.П.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №1-2. С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045 РИНЦ OpenAlex
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №1-2. С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045 РИНЦ OpenAlex
Даты:
| Поступила в редакцию: | 17 нояб. 2021 г. |
| Принята к публикации: | 25 нояб. 2021 г. |
| Опубликована в печати: | 1 янв. 2022 г. |
| Опубликована online: | 31 мар. 2022 г. |
Идентификаторы БД:
| Web of science: | WOS:000780909000004 |
| Scopus: | 2-s2.0-85127741197 |
| РИНЦ: | 48427001 |
| Chemical Abstracts: | 2022:883226 |
| Chemical Abstracts (print): | 178:324119 |
| OpenAlex: | W4226238830 |