Composition and Structure of Hafnia Films on Silicon Научная публикация
Журнал |
Inorganic Materials
ISSN: 0020-1685 , E-ISSN: 1608-3172 |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2008, Том: 44, Номер: 9, Страницы: 965-970 Страниц : 6 DOI: 10.1134/S0020168508090124 | ||||||||
Ключевые слова | Hafnium; Native Oxide Layer; Ellipsometry Data; Hafnium Silicate; Equilibrium Phase Assemblage | ||||||||
Авторы |
|
||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (3)
1 | Совет по грантам Президента Российской Федерации | НШ-636.2008.3 |
2 | Сибирское отделение Российской академии наук | 97 |
3 | Российский фонд фундаментальных исследований | 05-03-32393 |
Реферат:
Ellipsometry, electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy data indicate that, during
HfO2 deposition onto silicon, the native oxide reacts with the HfO2 deposit to form an amorphous intermediate
layer which differs in refractive index (1.6) from both HfO2 (1.9–2.0) and SiO2 (1.46). Thermodynamic analysis
of the Si–SiO2–HfO2–Hf system shows that Si is in equilibrium with Si/HfO2 – y only at low oxygen pressures.
Starting at a certain oxygen pressure (equivalent to the formation of a native oxide layer), the equilibrium
phase assemblage is Si/HfSiO4/HfO2 – y.
Библиографическая ссылка:
Smirnova T.P.
, Kaichev V.V.
, Yakovkina L.V.
, Kosyakov V.I.
, Beloshapkin S.A.
, Kuznetsov F.A.
, Lebedev M.S.
, Gritsenko V.A.
Composition and Structure of Hafnia Films on Silicon
Inorganic Materials. 2008. V.44. N9. P.965-970. DOI: 10.1134/S0020168508090124 WOS Scopus РИНЦ
Composition and Structure of Hafnia Films on Silicon
Inorganic Materials. 2008. V.44. N9. P.965-970. DOI: 10.1134/S0020168508090124 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная:
Смирнова Т.П.
, Каичев В.В.
, Яковкина Л.В.
, Косяков В.И.
, Белошапкин С.А.
, Кузнецов Ф.А.
, Лебедев М.С.
, Гриценко В.А.
Состав и строение пленок оксида гафния на кремнии
Неорганические материалы. 2008. Т.44. №9. С.1086-1092. РИНЦ
Состав и строение пленок оксида гафния на кремнии
Неорганические материалы. 2008. Т.44. №9. С.1086-1092. РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 11 окт. 2006 г. |
Принята к публикации: | 22 июн. 2007 г. |
Опубликована online: | 30 авг. 2008 г. |
Опубликована в печати: | 1 сент. 2008 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000258839600012 |
Scopus | 2-s2.0-50849105104 |
РИНЦ | 13593266 |
Chemical Abstracts | 2008:1055854 |
Chemical Abstracts (print) | 150:110130 |
OpenAlex | W2076961298 |