Syntesis and Structure Investigations of Nanostructures Massive of GaAs
Научная публикация
| Общее |
Язык:
Английский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Переводная
|
| Журнал |
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
ISSN: 1062-8738
, E-ISSN: 1934-9432
|
| Вых. Данные |
Год: 2013,
Том: 77,
Номер: 9,
Страницы: 1157-1160
Страниц
: 4
DOI:
10.3103/S1062873813090499
|
| Авторы |
Valeev R.G.
1,2
,
Kobziev V.F.
2
,
Kriventsov V.V.
3
,
Mezentsev N.A.
4
|
| Организации |
| 1 |
Физико-технический институт УрО РАН
|
| 2 |
Удмуртский государственный университет
|
| 3 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
|
| 4 |
Институт ядерной физики имени Г.И. Будкера СО РАН
|
|
Информация о финансировании (6)
|
1
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
02.740.11.0543
|
|
2
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
16.513.11.3043
|
|
3
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
16.518.11.7022
|
|
4
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
11 2 НП 411
|
|
5
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
12-П-2-1038
|
|
6
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
12-С-2-1024
|
A new approach to the synthesis of ordered GaAs nanostructure massives via thermal deposition onto porous aluminum oxide matrices with ordered channel arrangement is described. The geometric characteristics of nanostructures, their structural states, and local atomic structures are studied. Parameters of local atomic structure (e.g., interatomic distances and coordination numbers) are obtained for comparing to the data on GaAs continuous films.