Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. | Sciact - CRIS-система Института катализа

Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Научная публикация

Журнал

Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222

Вых. Данные

Год: 2012, Том: 46, Номер: 4, Страницы: 569-575 Страниц : 6

Авторы

Валишева Н.А. ¹ , Терещенко О.Е. ^1,3 , Просвирин И.П. ² , Калинкин А.В. ² , Голяшов В.А. ³ , Левцова Т.А. ¹ , Бухтияров В.И. ²

Организации

1	Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
2	Институт катализа им Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
3	Новосибирский государственный университет, 603090 Новосибирск, Россия

Информация о финансировании (1)

Сибирское отделение Российской академии наук

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен химический состав анодных слоев (толщиной 20 нм), выращенных на InAs(111)A в щелочном и кислотном электролитах, не содержащих и содержащих NH4F. Показано, что состав фторсодержащих слоев определяется соотношением концентраций ионов фтора и гидроксилов в электролите, а также процессами диффузии, протекающими в растущем слое. Фтор накапливается на границе раздела анодный слой/InAs. Окисление InAs в кислотном электролите с низкой концентрацией кислорода и высокой концентрацией NH4F приводит к формированию анодных слоев с высоким содержанием фтора, элементного мышьяка и образованию бескислородной границы раздела InFx /InAs. Фторсодержащие слои, выращенные в щелочном электролите с высокой концентрацией O2− и(или) OH−-групп, содержат примерно в 3 раза меньше фтора и состоят из оксифторидов

Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И.
Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава.
Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ

Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition
Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex

Поступила в редакцию:	25 авг. 2011 г.
Принята к публикации:	3 окт. 2011 г.

РИНЦ:

20319147

БД	Цитирований
РИНЦ	4