Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Full article

Journal

Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222

Output data

Year: 2012, Volume: 46, Number: 4, Pages: 569-575 Pages count : 6

Authors

Валишева Н.А. ¹ , Терещенко О.Е. ^1,3 , Просвирин И.П. ² , Калинкин А.В. ² , Голяшов В.А. ³ , Левцова Т.А. ¹ , Бухтияров В.И. ²

Affiliations

1	Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
2	Институт катализа им Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
3	Новосибирский государственный университет, 603090 Новосибирск, Россия

Funding (1)

Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен химический состав анодных слоев (толщиной 20 нм), выращенных на InAs(111)A в щелочном и кислотном электролитах, не содержащих и содержащих NH4F. Показано, что состав фторсодержащих слоев определяется соотношением концентраций ионов фтора и гидроксилов в электролите, а также процессами диффузии, протекающими в растущем слое. Фтор накапливается на границе раздела анодный слой/InAs. Окисление InAs в кислотном электролите с низкой концентрацией кислорода и высокой концентрацией NH4F приводит к формированию анодных слоев с высоким содержанием фтора, элементного мышьяка и образованию бескислородной границы раздела InFx /InAs. Фторсодержащие слои, выращенные в щелочном электролите с высокой концентрацией O2− и(или) OH−-групп, содержат примерно в 3 раза меньше фтора и состоят из оксифторидов

Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И.
Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава.
Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ

Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition
Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex

Submitted:	Aug 25, 2011
Accepted:	Oct 3, 2011

Elibrary:

20319147

DB	Citing
Elibrary	4