1
|
Rusetsky V.S.
, Golyashov V.A.
, Eremeev S.V.
, Kustov D.A.
, Rusinov I.P.
, Shamirzaev T.S.
, Mironov A.V.
, Demin A.Y.
, Tereshchenko O.E.
New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode
Physical Review Letters. 2022.
V.129. N16. 166802
:1-13. DOI: 10.1103/physrevlett.129.166802
Scopus
|
2
|
Golyashov V.A.
, Rusetsky V.S.
, Shamirzaev T.S.
, Dmitriev D.V.
, Kislykh N.V.
, Mironov A.V.
, Aksenov V.V.
, Tereshchenko O.E.
Spectral Detection of Spin-Polarized Ultra Low-Energy Electrons in Semiconductor Heterostructures
Ultramicroscopy. 2020.
V.218. 113076
:1-8. DOI: 10.1016/j.ultramic.2020.113076
Scopus
|
3
|
Semenova O.I.
, Yudanova E.S.
, Yeryukov N.A.
, Zhivodkov Y.A.
, Shamirzaev T.S.
, Maximovskiy E.A.
, Gromilov S.A.
, Troitskaia I.B.
Perovskite CH3NH3PbI3 Crystals and Films. Synthesis and Characterization
Journal of Crystal Growth. 2017.
V.462. P.45-49. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.019
WOS
Scopus
РИНЦ
|
4
|
Rodionov A.A.
, Golyashov V.A.
, Chistokhin I.B.
, Jaroshevich A.S.
, Derebezov I.A.
, Haisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
, Marakhovka I.I.
, Kopotilov A.V.
, Kislykh N.V.
, Mironov A.V.
, Aksenov V.V.
, Tereshchenko O.E.
Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes
Physical Review Applied (PRApplied). 2017.
V.8. N3. 034026
:1-8. DOI: 10.1103/physrevapplied.8.034026
Scopus
|
5
|
Shamirzaev V.T.
, Gaisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
Negative Differential Resistance in High-Power InGaN/GaN Laser Diode
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2016.
V.52. N5. P.442-446. DOI: 10.3103/S8756699016050058
WOS
Scopus
РИНЦ
|
6
|
Шамирзаев В.Т.
, Гайслер В.А.
, Шамирзаев Т.С.
Отрицательное дифференциальное сопротивление в мощных лазерных InGaN/GaN–диодах
Автометрия. 2016.
Т.52. №5. С.31-36. DOI: 10.15372/AUT20160505
RSCI
РИНЦ
|
7
|
Shamirzaev V.T.
, Zhukov B.D.
, Gaisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
Treatment and Optical Analysis of Domestic and Industrial Wastewater
Solid State Phenomena (Предыдущее наименование: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena). 2016.
V.247. P.91-95. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.247.91
Scopus
РИНЦ
|
8
|
Шамирзаев В.Т.
, Гайслер В.А.
, Шамирзаев Т.С.
Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов
Физика и техника полупроводников. 2016.
Т.50. №11. С.1513-1518.
РИНЦ
|
9
|
Shamirzaev V.T.
, Gaisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
Edge and Defect Luminescence of Powerful Ultraviolet InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
Semiconductors. 2016.
V.50. N11. P.1493-1498. DOI: 10.1134/S1063782616110233
WOS
Scopus
РИНЦ
|
10
|
Шамирзаев В.Т.
, Гайслер В.А.
, Шамирзаев Т.С.
Люминесцентный контроль загрязнения воды тяжелыми фракциями нефтепродуктов
Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2015.
Т.79. №2. С.186-190. DOI: 10.7868/S036767651502026X
РИНЦ
|
11
|
Shamirzaev V.T.
, Gaisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
Luminescence Detection of Petroleum Pollutants in Water
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015.
V.79. N2. P.165-168. DOI: 10.3103/S1062873815020264
Scopus
РИНЦ
|
12
|
Abramkin D.S.
, Shamirzaev V.T.
, Putyato M.A.
, Gutakovskii A.K.
, Shamirzaev T.S.
Coexistence of Type-I and Type-II Band Alignment in Ga(Sb,P)/GaP Heterostructures with Pseudomorphic Self-Assembled Quantum Dots
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2014.
V.99. N2. P.81-86. DOI: 10.7868/S0370274X14020040
РИНЦ
|
13
|
Abramkin D.S.
, Shamirzaev V.T.
, Putyuto M.A.
, Gutakovskii A.K.
, Shamirzaev T.S.
Coexistence of Type-I and Type-II Band Alignment in Ga(Sb,P)/GaP Heterostructures with Pseudomorphic Self-Assembled Quantum Dots
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2014.
V.99. N2. P.76-81. DOI: 10.1134/S0021364014020027
WOS
Scopus
РИНЦ
|
14
|
Терещенко О.Е.
, Паулиш А.Г.
, Неклюдова М.А.
, Шамирзаев Т.С.
, Ярошевич А.С.
, Просвирин И.П.
, Жаксылыкова И.Э.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Варнаков С.Н.
, Рауцкий М.В.
, Волков Н.В.
, Овчинников С.Г.
, Латышев А.В.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов.
Письма в Журнал технической физики. 2012.
Т.38. №1. С.27-36.
РИНЦ
|
15
|
Tereshhenko O.E.
, Paulish A.G.
, Neklyudova M.A.
, Shamirzaev T.S.
, Yaroshevich A.S.
, Prosvirin I.P.
, Zhaksylykova I.
, Dmitriev D.V.
, Toropov A.I.
, Varnakov S.N.
, Rautskii M.V.
, Volkov N.V.
, Ovchinnikov S.G.
, Latyshev A.V.
Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin
Technical Physics Letters. 2012.
V.38. N1. P.12-16. DOI: 10.1134/S1063785012010154
WOS
Scopus
РИНЦ
|