41
|
Orlov O.M.
, Krasnikov G.Y.
, Gritsenko V.A.
, Kruchinin V.N.
, Perevalov T.V.
, Aliev V.S.
, Islamov D.R.
, Prosvirin I.P.
Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides
ECS Transactions. 2015.
V.69. N5. P.237-241. DOI: 10.1149/06905.0237ecst
Scopus
РИНЦ
|
42
|
Atuchin V.V.
, Kaichev V.V.
, Korolkov I.V.
, Saraev A.A.
, Troitskaia I.B.
, Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
Electronic Structure of Noncentrosymmetric α-GeO2 with Oxygen Vacancy: Ab Initio Calculations and Comparison with Experiment
The Journal of Physical Chemistry C. 2014.
V.118. N7. P.3644-3650. DOI: 10.1021/jp411751c
WOS
Scopus
РИНЦ
|
43
|
Perevalov T.V.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Saraev A.A.
, Kaichev V.V.
, Ivanova E.V.
, Zamoryanskaya M.V.
The Origin of 2.7 eV Luminescence and 5.2 eV Excitation Band in Hafnium Ooxide
Applied Physics Letters. 2014.
V.104. N7. P.071904-1-071904-5. DOI: 10.1063/1.4865259
WOS
Scopus
РИНЦ
|
44
|
Каичев В.В.
, Асанова Т.И.
, Эренбург С.В.
, Перевалов Т.В.
, Швец В.А.
, Гриценко В.А.
Атомная и электронная структура оксида лютеция Lu2O3
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2013.
Т.143. №2. С.371-378. DOI: 10.7868/S0044451013020144
РИНЦ
|
45
|
Kaichev V.V.
, Ivanova E.V.
, Zamoryanskaya M.V.
, Smirnova T.P.
, Yakovkina L.V.
, Gritsenko V.A.
XPS and Cathodoluminescence Studies of HfO2, Sc2O3 and (HfO2)1-x(Sc2O3)x Films
The European Physical Journal - Applied Physics. 2013.
V.64. N1. P.10302-1-4. DOI: 10.1051/epjap/2013130005
WOS
Scopus
РИНЦ
|
46
|
Perevalov T.V.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Saraev A.A.
, Kaichev V.V.
Electronic Structure of Oxygen Vacancies in Hafnium Oxide
Microelectronic Engineering. 2013.
V.109. P.21-23. DOI: 10.1016/j.mee.2013.03.005
WOS
Scopus
РИНЦ
|
47
|
Kaichev V.V.
, Asanova T.I.
, Erenburg S.B.
, Perevalov T.V.
, Shvets V.A.
, Gritsenko V.A.
Atomic and Electronic Structures of Lutetium Oxide Lu2O3
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2013.
V.116. N2. P.323-329. DOI: 10.1134/S1063776113020131
WOS
Scopus
РИНЦ
|
48
|
Ivanov M.V.
, Perevalov T.V.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Kaichev V.V.
Electronic Structure of δ-Ta2O5 with Oxygen Vacancy: ab initio Calculations and Comparison with Experiment
Journal of Applied Physics. 2011.
V.110. P.024115-1 - 024115-5. DOI: 10.1063/1.3606416
WOS
Scopus
РИНЦ
|
49
|
Иванов М.В.
, Перевалов Т.В.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
, Каичев В.В.
Моделирование ab initio электронной структуры δ-Ta2O5 с кислородной вакансией и сравнение с экспериментом
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011.
Т.139. №6. С.1182-1189.
РИНЦ
|
50
|
Ivanov M.V.
, Perevalov T.V.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Kaichev V.V.
Ab initio Simulation of the Electronic Structure of δ-Ta2O5 with Oxygen Vacancy and Comparison with Experiment
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2011.
V.112. N6. P.1035-1041. DOI: 10.1134/S1063776111050037
WOS
Scopus
РИНЦ
|
51
|
Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Kaichev V.V.
Electronic Structure of Aluminum Oxide: Ab initio Simulations of α and γ Phases and Comparison with Experiment for Amorphous Films
The European Physical Journal - Applied Physics. 2010.
V.52. N3. P.30501. DOI: 10.1051/epjap/2010159
WOS
Scopus
РИНЦ
|
52
|
Смирнова Т.П.
, Каичев В.В.
, Яковкина Л.В.
, Косяков В.И.
, Белошапкин С.А.
, Кузнецов Ф.А.
, Лебедев М.С.
, Гриценко В.А.
Состав и строение пленок оксида гафния на кремнии
Неорганические материалы. 2008.
Т.44. №9. С.1086-1092.
РИНЦ
|
53
|
Smirnova T.P.
, Kaichev V.V.
, Yakovkina L.V.
, Kosyakov V.I.
, Beloshapkin S.A.
, Kuznetsov F.A.
, Lebedev M.S.
, Gritsenko V.A.
Composition and Structure of Hafnia Films on Silicon
Inorganic Materials. 2008.
V.44. N9. P.965-970. DOI: 10.1134/S0020168508090124
WOS
Scopus
РИНЦ
|
54
|
Shvets V.A.
, Aliev V.S.
, Gritsenko D.V.
, Shaimeev S.S.
, Fedosenko E.V.
, Rykhlitski S.V.
, Atuchin V.V.
, Gritsenko V.A.
, Tapilin V.M.
, Wong H.
Electronic Structure and Charge Transport Properties of Amorphous Ta2O5 Films
Journal of Non-Crystalline Solids. 2008.
V.354. N26. P.3025-3033. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2007.12.013
WOS
Scopus
РИНЦ
|
55
|
Perevalov T.V.
, Shaposhnikov A.V.
, Nasyrov K.A.
, Gritsenko D.V.
, Gritsenko V.A.
, Tapilin V.M.
Electronic Structure of ZrO2 and HfO2
В сборнике
Defects in High-k Gate Dielectric Stacks: Nano-Electronic Semiconductor Devices.
– Springer.,
2006.
– C.423-434. – ISBN 978-1-4020-4367-3. DOI: 10.1007/1-4020-4367-8_34
WOS
РИНЦ
|
56
|
Gritsenko V.
, Gritsenko D.
, Shaimeev S.
, Aliev V.
, Nasyrov K.
, Erenburg S.
, Tapilin V.
, Wong H.
, Poon M.C.
, Lee J.H.
, Lee J.-W.
, Kim C.W.
Atomic and Electronic Structures of Amorphous ZrO2 and HfO2 Films
Microelectronic Engineering. 2005.
V.81. N2-4. P.524-529. DOI: 10.1016/j.mee.2005.03.056
WOS
Scopus
РИНЦ
|
57
|
Патраков А.Е.
, Гриценко В.А.
, Жидомиров Г.М.
Взаимодействие с носителями заряда и спектр оптического поглощения ассоциата элементарных дефектов в SiO2: вакансия кислорода / силиленовый центр
Физика твердого тела. 2004.
Т.46. №11. С.1955-1959.
РИНЦ
|
58
|
Patrakov A.E.
, Gritsenko V.A.
, Zhidomirov G.M.
Interaction with Charge Carriers and the Optical Absorption Spectrum of an Associate Formed by Elementary Defects
(an Oxygen Vacancy and a Silylene Center) in SiO2
Physics of the Solid State. 2004.
V.46. N11. P.2021-2025. DOI: 10.1134/1.1825543
WOS
Scopus
РИНЦ
|
59
|
Gritsenko V.A.
, Novikov Y.N.
, Shaposhnikov A.V.
, Wong H.
, Zhidomirov G.M.
Capturing Properties of Three-Fold Coordinated Silicon Atom in Silicon Nitride: A Positive Correlation Energy Model
Физика твердого тела. 2003.
V.45. N11. P.1934-1937.
РИНЦ
|
60
|
Gritsenko V.A.
, Shaposhnikov A.V.
, Novikov Y.N.
, Baraban A.P.
, Wong H.
, Zhidomirov G.M.
, Roger M.
Onefold Coordinated Oxygen Atom: An Electron Trap in the Silicon Oxide
Microelectronics Reliability. 2003.
V.43. N4. P.665-669. DOI: 10.1016/S0026-2714(03)00030-1
WOS
Scopus
РИНЦ
|