Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава.
Научная публикация
| Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
| Журнал |
Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222
|
| Вых. Данные |
Год: 2012,
Том: 46,
Номер: 4,
Страницы: 569-575
Страниц
: 6
|
| Авторы |
Валишева Н.А.
1
,
Терещенко О.Е.
1,3
,
Просвирин И.П.
2
,
Калинкин А.В.
2
,
Голяшов В.А.
3
,
Левцова Т.А.
1
,
Бухтияров В.И.
2
|
| Организации |
| 1 |
Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
|
| 2 |
Институт катализа им Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
|
| 3 |
Новосибирский государственный университет, 603090 Новосибирск, Россия
|
|
Информация о финансировании (1)
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен химический состав анодных слоев (толщиной 20 нм), выращенных на InAs(111)A в щелочном и кислотном электролитах, не содержащих и содержащих NH4F. Показано, что состав фторсодержащих слоев определяется соотношением концентраций ионов фтора и гидроксилов в электролите, а также процессами диффузии, протекающими в растущем слое.
Фтор накапливается на границе раздела анодный слой/InAs. Окисление InAs в кислотном электролите с низкой концентрацией кислорода и высокой концентрацией NH4F приводит к формированию анодных слоев с высоким содержанием фтора, элементного мышьяка и образованию бескислородной границы раздела InFx /InAs. Фторсодержащие слои, выращенные в щелочном электролите с высокой концентрацией O2− и(или) OH−-групп, содержат примерно в 3 раза меньше фтора и состоят из оксифторидов