Терещенко Олег Евгеньевич | Sciact - cris system

Терещенко Олег Евгеньевич

Внешние ссылки

ResearcherID: A-8170-2014 , AAT-7668-2020

ORCID: 0000-0002-6157-5874

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	2009 - 2020	29
2	Институт ядерной физики имени Г.И. Будкера СО РАН	2020	1
3	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2010 - 2018	19
4	Санкт-Петербургский государственный университет	2016	1
5	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН	2012	1

Научная деятельность

Статьи в журналах - 17 , Тезисы докладов - 4 , Доклады на конференциях - 5

Статьи в журналах (17) Подробнее

1	Bukhtiyarov A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Nikolenko A.D. , Prosvirin I.P. , Kvon R.I. , Tereshchenko O.E. “Electronic Structure” Beamline 1-6 at SKIF Synchrotron Facility AIP Conference Proceedings. 2020. V.2299. N1. 060003 :1-5. DOI: 10.1063/5.0030740 Scopus
2	Kaveev A.K. , Sokolov N.S. , Suturin S.M. , Zhiltsov N.S. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Prosvirin I.P. , Tereshchenko O.E. , Sawada M. Crystalline Structure and Magnetic Properties of Structurally Ordered Cobalt–Iron Alloys Grown on Bi-Containing Topological Insulators and Systems with Giant Rashba Splitting CrystEngComm. 2018. V.20. N24. P.3419-3427. DOI: 10.1039/c8ce00326b WOS Scopus РИНЦ
3	Zhuravlev K.S. , Malin T.V. , Mansurov V.G. , Tereshenko O.E. , Abgaryan K.K. , Reviznikov D.L. , Zemlyakov V.E. , Egorkin V.I. , Parnes Y.M. , Tikhomirov V.G. , Prosvirin I.P. AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors Semiconductors. 2017. V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277 WOS Scopus РИНЦ
4	Журавлев К.С. , Малин Т.В. , Мансуров В.Г. , Терещенко О.Е. , Абгарян К.К. , Ревизников Д.Л. , Земляков В.Е. , Егоркин В.И. , Парнес Я.М. , Тихомиров В.Г. , Просвирин И.П. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов Физика и техника полупроводников. 2017. Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287 RSCI РИНЦ
5	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Loshkarev I.D. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshchenko O.E. Crystal Growth of Bi2Te3 and Noble Cleaved (0001) Surface Properties Journal of Solid State Chemistry. 2016. V.236. P.203-208. DOI: 10.1016/j.jssc.2015.07.031 WOS Scopus РИНЦ
6	Aksenov M.S. , Kokhanovskii A.Y. , Polovodov P.A. , Devyatova S.F. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Khandarkhaeva S.E. , Gutakovskii A.K. , Valisheva N.A. , Tereshсhenko O.E. InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ
7	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ
8	Valisheva N.A. , Aksenov M.S. , Golyashov V.A. , Levtsova T.A. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Kalinkin A.V. , Prosvirin I.P. , Bukhtiyarov V.I. , Tereshchenko O.E. Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ
9	Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И. Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ
10	Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Makarenko S.V. , Romanyuk K.N. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Tereshchenko O.E. , Kozhukhov A.S. , Sheglov D.V. , Eremeev S.V. , Borisova S.D. , Chulkov E.V. Inertness and Degradation of (0001) Surface of Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Applied Physics. 2012. V.112. N11. P.113702. DOI: 10.1063/1.4767458 WOS Scopus РИНЦ
11	Терещенко О.Е. , Паулиш А.Г. , Неклюдова М.А. , Шамирзаев Т.С. , Ярошевич А.С. , Просвирин И.П. , Жаксылыкова И.Э. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Варнаков С.Н. , Рауцкий М.В. , Волков Н.В. , Овчинников С.Г. , Латышев А.В. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов. Письма в Журнал технической физики. 2012. Т.38. №1. С.27-36. РИНЦ
12	Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I. Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ
13	Tereshhenko O.E. , Paulish A.G. , Neklyudova M.A. , Shamirzaev T.S. , Yaroshevich A.S. , Prosvirin I.P. , Zhaksylykova I. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Varnakov S.N. , Rautskii M.V. , Volkov N.V. , Ovchinnikov S.G. , Latyshev A.V. Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin Technical Physics Letters. 2012. V.38. N1. P.12-16. DOI: 10.1134/S1063785012010154 WOS Scopus РИНЦ
14	Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Просвирин И.П. , Шкляев А.А. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.94. №6. С.500-503. РИНЦ
15	Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Atuchin V.V. , Romanyuk K.N. , Makarenko S.V. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Shklyaev A.A. Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159 WOS Scopus РИНЦ
16	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Makarenko S.V. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshhenko O.E. Formation of Inert Bi2Se3(0001) Cleaved Surface Crystal Growth and Design. 2011. V.11. N12. P.5507-5514. DOI: 10.1021/cg201163v WOS Scopus РИНЦ
17	Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Levtsova T.A. , Rodjakina E.E. , Kovchavcev A.V. Composition and Morphology of Fluorinated Anodic Oxides on InAs (1 1 1)A Surface Applied Surface Science. 2010. V.256. N19. P.5722-5726. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.100 WOS Scopus РИНЦ

Тезисы докладов (4) Подробнее

1	Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов. В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур. 2014. – C.72.
2	Калинкин А.В. , Смирнов М.Ю. , Сорокин А.М. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е. , Бухтияров В.И. Исследование модельных катализаторов и полупроводниковых материалов методом РФЭС с использованием вакуумного источника NO2 В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.28. – ISBN 9785901688281.
3	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния. В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.
4	Черков А.Г. , Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Гутаковский А.К. , Просвирин И.П. , Левцова Т.А. Исследование влияния фтора на структуру и состав анодных оксидных слоев на InAs (111) Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т.10. №1-2. С.204-206. РИНЦ

Доклады на конференциях (5) Подробнее

1	Бухтияров А.В. , Николенко А.Д. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е. , Квон Р.И. “Electronic Structure” Beamline 1-6 at SKIF Synchrotron Facility The International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: generation and application" 13-17 Jul 2020
2	Семёнова О.И. , Шмаков А.Н. , Шарафутдинов М.Р. , Терещенко О.Е. Structure and Phase Transitions Study of New Semiconducting Organo-Mineral Perovskite The International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: generation and application" 25-28 Jun 2018
3	Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов. Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур 15-18 Sep 2014
4	Калинкин А.В. , Смирнов М.Ю. , Сорокин А.М. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е. , Бухтияров В.И. Исследование модельных катализаторов и полупроводниковых материалов методом РФЭС с использованием вакуумного источника NO2 XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 Oct 2013
5	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния. XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 Oct 2013