Терещенко Олег Евгеньевич

Сотрудник

Внешние ссылки

ResearcherID: A-8170-2014

ORCID: 0000-0002-6157-5874

Ученые степени

2014 - Доктор наук по специальности 1.3.11 - Физика полупроводников

Ученые звания

2018 - Профессор РАН

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	2009 - 2022	76
2	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2010 - 2022	53
3	Санкт-Петербургский государственный университет	2016 - 2022	10
4	Центр коллективного пользования "Сибирский кольцевой источник фотонов"	2022	10
5	Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН	2021	1
6	Институт ядерной физики имени Г.И. Будкера СО РАН	2020	1
7	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН	2012	1

Научная деятельность

Статьи в журналах - 56 , Тезисы докладов - 5 , Доклады на конференциях - 8

Статьи в журналах (56) Подробнее

1	Khatchenko Y.E. , Yakushev M.V. , Seibel C. , Bentmann H. , Orlita M. , Golyashov V. , Ponosov Y.S. , Stepina N.P. , Mudriy A.V. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Reinert F. , Martin R.W. , Kuznetsova T.V. Structural, Optical and Electronic Properties of the Wide Bandgap Topological Insulator Bi1.1Sb0.9Te2S Journal of Alloys and Compounds. 2022. V.890. 161824 :1-6. DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.161824 WOS Scopus
2	Stepina N.P. , Golyashov V.A. , Nenashev A.V. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Kirienko V.V. , Koptev E.S. , Goldyreva E.S. , Rybin M.G. , Obraztsova E.D. , Antonova I.V. Weak Antilocalization to Weak Localization Transition in Bi2Se3 Films on Graphene Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2022. V.135. 114969 :1-5. DOI: 10.1016/j.physe.2021.114969 Scopus
3	Глазкова Д.А. , Естюнин Д.А. , Климовских И.И. , Макарова Т.П. , Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Голяшов В.А. , Королева А.В. , Шикин А.М. Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-XSbX)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №5-6 (3). С.315-321. DOI: 10.31857/S1234567822050081 РИНЦ
4	Kumar N. , Nezhdanov A.V. , Smertin R.M. , Polkovnikov V.N. , Chkhalo N.I. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. A Volume Plasmon Blueshift in Thin Silicon Films Embedded within Be/Si Periodic Multilayer Mirrors PCCP: Physical Chemistry Chemical Physics. 2022. V.24. N26. P.15951-15957. DOI: 10.1039/d2cp01697d WOS Scopus РИНЦ
5	Glazkova D.A. , Estyunin D.A. , Klimovskikh I.I. , Makarova T.P. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Golyashov V.A. , Koroleva A.V. , Shikin A.M. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1–xSbx)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. P.286–291. DOI: 10.1134/S0021364022100083 Scopus
6	Antonova I.V. , Kokh K.A. , Nebogatikova N.A. , Suprun E.A. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. Bi2Se3 Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene Crystal Growth and Design. 2022. V.22. N9. P.5335–5344. DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00431 Scopus
7	Gorshkov D.V. , Zakirov E.R. , Sidorov G.Y. , Sabinina I.V. , Marin D.V. , Ikusov D.G. , Yakushev M.V. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. Study of MIS Structures Based on CdHgTe and HfO2 Applied by PEALD Applied Physics Letters. 2022. V.121. N8. 081602 :1-5. DOI: 10.1063/5.0096133 Scopus
8	Klimovskikh I.I. , Estyunin D.A. , Makarova T.P. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Shikin A.M. Electronic Structure of Pb Adsorbed Surfaces of Intrinsic Magnetic Topological Insulators Journal of Physical Chemistry Letters. 2022. V.13. N29. P.6628-6634. DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c01245 Scopus
9	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Rusetsky V.S. , Mironov A.V. , Demin A.Y. , Aksenov V.V. A New Imaging Concept in Spin Polarimetry Based on the Spin-Filter Effect Journal of Synchrotron Radiation. 2021. V.28. N3. P.864-875. DOI: 10.1107/s1600577521002307 WOS Scopus
10	Талочкин А.Б. , Кох К.А. , Терещенко О.Е. Спектр оптических фононов монокристалла Ge2Sb2Te5 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2021. Т.113. №10. С.682-687. DOI: 10.31857/s1234567821100086
11	Кавеев А.К. , Бондаренко Д.Н. , Терещенко О.Е. Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111) Физика и техника полупроводников. 2021. Т.55. №8. С.625-628. DOI: 10.21883/ftp.2021.08.51126.02
12	Shikin A.M. , Estyunin D.A. , Zaitsev N.L. , Glazkova D. , Klimovskikh I.I. , Filnov S.O. , Rybkin A.G. , Schwier E.F. , Kumar S. , Kimura A. , Mamedov N. , Aliev Z. , Babanly M.B. , Kokh K. , Tereshchenko O.E. , Otrokov M.M. , Chulkov E.V. , Zvezdin K.A. , Zvezdin A.K. Sample-Dependent Dirac-Point Gap in MnBi2Te4 and Its Response to Applied Surface Charge: A Combined Photoemission and ab initio Study Physical Review B (started in 2016). 2021. V.104. N11. 115168 :1-11. DOI: 10.1103/physrevb.104.115168 WOS Scopus
13	Schmid C.P. , Weigl L. , Grössing P. , Junk V. , Gorini C. , Schlauderer S. , Ito S. , Meierhofer M. , Hofmann N. , Afanasiev D. , Crewse J. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Güdde J. , Evers F. , Wilhelm J. , Richter K. , Höfer U. , Huber R. Tunable Non-Integer High-Harmonic Generation in a Topological Insulator Nature. 2021. V.593. N7859. P.385-390. DOI: 10.1038/s41586-021-03466-7 WOS Scopus
14	Kocsis M. , Zheliuk O. , Makk P. , Tóvári E. , Kun P. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Taniguchi T. , Watanabe K. , Ye J. , Csonka S. In situ Tuning of Symmetry-Breaking-Induced Nonreciprocity in the Giant-Rashba Semiconductor BiTeBr Physical Review Research. 2021. V.3. N3. 033253 :1-11. DOI: 10.1103/physrevresearch.3.033253 WOS Scopus
15	Ketterl A.S. , Andres B. , Polverigiani M. , Voroshnin V. , Gahl C. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Chulkov E.V. , Shikin A. , Weinelt M. Effect of Rashba Splitting on Ultrafast Carrier Dynamics in BiTeI Physical Review B (started in 2016). 2021. V.103. N8. 085406 :1-10. DOI: 10.1103/physrevb.103.085406 WOS Scopus
16	Tarasov A.S. , Ishchenko D.V. , Akhundov I.O. , Golyashov V.A. , Klimov A.E. , Suprun S.P. , Fedosenko E.V. , Sherstyakova V.N. , Rybkin A.G. , Vilkov O.Y. , Tereshchenko O.E. Surface Chemical Treatment Effect on (1 1 1) PbSnTe < In > Topological Crystalline Insulator Films Applied Surface Science. 2021. V.569. 150930 :1-6. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.150930 WOS Scopus
17	Talochkin A.B. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. Optical Phonon Spectrum of the Ge2Sb2Te5 Single Crystal Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2021. V.113. N10. P.651-656. DOI: 10.1134/S002136402110012X WOS Scopus
18	Kaveev A.K. , Suturin S.M. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Eremeev S.V. , Estyunin D.A. , Shikin A.M. , Okotrub A.V. , Lavrov A.N. , Schwier E.F. , Tereshchenko O.E. Band Gap Opening in the BiSbTeSe2 Topological Surface State Induced by Ferromagnetic Surface Reordering Physical Review Materials. 2021. V.5. N12. 124204 :1-11. DOI: 10.1103/physrevmaterials.5.124204 Scopus
19	Русецкий В.С. , Голяшов В.А. , Миронов А.В. , Демин А.Ю. , Терещенко О.Е. Фотоэмиссионные свойства мультищелочного фотокатода Автометрия. 2021. Т.57. №5. С.70-76. DOI: 10.15372/aut20210508
20	Antonova I.V. , Nebogatikova N.A. , Stepina N.P. , Volodin V.A. , Kirienko V.V. , Rybin M.G. , Obrazstova E.D. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. Growth of Bi2Se3/graphene Heterostructures with the Room Temperature High Carrier Mobility Journal of Materials Science. 2021. V.56. N15. P.9330-9343. DOI: 10.1007/s10853-021-05836-y Scopus
21	Rusetsky V.S. , Golyashov V.A. , Mironov A.V. , Demin A.Y. , Tereshchenko O.E. Photoemission Properties of a Multialkali Photocathode Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2021. V.57. N5. P.505-510. DOI: 10.3103/S8756699021050149 Scopus
22	Zhevstovskikh I.V. , Averkiev N.S. , Sarychev M.N. , Semenova O.I. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. Correlation of Elastic and Optoelectronic Properties Near Structural Phase Transition in Organic–Inorganic Lead Iodide Perovskite Single Crystals Journal of Physics Condensed Matter. 2021. V.33. N4. 045403 :1-10. DOI: 10.1088/1361-648x/abb9bb Scopus
23	Bukhtiyarov A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Nikolenko A.D. , Prosvirin I.P. , Kvon R.I. , Tereshchenko O.E. “Electronic Structure” Beamline 1-6 at SKIF Synchrotron Facility AIP Conference Proceedings. 2020. V.2299. N1. 060003 :1-5. DOI: 10.1063/5.0030740 Scopus РИНЦ
24	Golyashov V.A. , Rusetsky V.S. , Shamirzaev T.S. , Dmitriev D.V. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. , Tereshchenko O.E. Spectral Detection of Spin-Polarized Ultra Low-Energy Electrons in Semiconductor Heterostructures Ultramicroscopy. 2020. V.218. 113076 :1-8. DOI: 10.1016/j.ultramic.2020.113076 Scopus
25	Kokh K.A. , Nebogatikova N.A. , Antonova I.V. , Kustov D.A. , Golyashov V.A. , Goldyreva E.S. , Stepina N.P. , Kirienko V.V. , Tereshchenko O.E. Vapor Growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se Crystals on Mica Materials Research Bulletin. 2020. V.129. 110906 :1-6. DOI: 10.1016/j.materresbull.2020.110906 Scopus
26	Shikin A.M. , Estyunin D.A. , Surnin Y.I. , Koroleva A.V. , Shevchenko E.V. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Kumar S. , Schwier E.F. , Shimada K. , Yoshikawa T. , Saitoh Y. , Takeda Y. , Kimura A. Dirac Gap Opening and Dirac-fermion-mediated Magnetic Coupling in Antiferromagnetic Gd-Doped Topological Insulators and Their Manipulation by Synchrotron Radiation Scientific Reports. 2019. V.9. N1. 4813 :1-17. DOI: 10.1038/s41598-019-41137-w Scopus
27	Sumida K. , Kakoki M. , Reimann J. , Nurmamat M. , Goto S. , Takeda Y. , Saitoh Y. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Güdde J. , Höfer U. , Kimura A. Magnetic-impurity-induced Modifications to Ultrafast Carrier Dynamics in the Ferromagnetic Topological Insulators Sb2−xVxTe3 New Journal of Physics. 2019. V.21. N9. 093006 :1-9. DOI: 10.1088/1367-2630/ab3ac6
28	Kaveev A.K. , Sokolov N.S. , Suturin S.M. , Zhiltsov N.S. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Prosvirin I.P. , Tereshchenko O.E. , Sawada M. Crystalline Structure and Magnetic Properties of Structurally Ordered Cobalt–Iron Alloys Grown on Bi-Containing Topological Insulators and Systems with Giant Rashba Splitting CrystEngComm. 2018. V.20. N24. P.3419-3427. DOI: 10.1039/c8ce00326b WOS Scopus РИНЦ
29	Fiedler S. , Eremeev S.V. , Golyashov V.A. , Kaveev A.K. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Chulkov E.V. , Bentmann H. , Reinert F. Topological States Induced by Local Structural Modification of the Polar BiTeI(0001) Surface New Journal of Physics. 2018. V.20. 063035 :1-7. DOI: 10.1088/1367-2630/aac75e Scopus
30	Reimann J. , Schlauderer S. , Schmid C.P. , Langer F. , Baierl S. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Kimura A. , Lange C. , Güdde J. , Höfer U. , Huber R. Subcycle Observation of Lightwave-Driven Dirac Currents in a Topological Surface Band Nature. 2018. V.562. P.396-400. DOI: 10.1038/s41586-018-0544-x Scopus
31	Shikin A.M. , Voroshin V.Y. , Rybkin A.G. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Ishida Y. , Kimura A. Gigantic 2D Laser-Induced Photovoltaic Effect in Magnetically Doped Topological Insulators for Surface Zero-Bias spin-Polarized Current Generation 2D Materials. 2018. V.5. N1. 015015 :1-9. DOI: 10.1088/2053-1583/aa928a Scopus
32	Kovchavtsev A.P. , Aksenov M.S. , Tsarenko A.V. , Nastovjak A.E. , Pogosov A.G. , Pokhabov D.A. , Tereshchenko O.E. , Valisheva N.A. Influence of Quantizing Magnetic Field and Rashba Effect on Indium Arsenide Metal-Oxide-Semiconductor Structure Accumulation Capacitance Journal of Applied Physics. 2018. V.123. N17. 173901 :1-7. DOI: 10.1063/1.5018670 Scopus
33	Storz O. , Sessi P. , Wilfert S. , Dirker C. , Bathon T. , Kokh K. , Tereshchenko O. , Bode M. Landau Level Broadening in the Three-Dimensional Topological Insulator Sb2Te3 Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2018. V.12. N11. 1800112 :1-5. DOI: 10.1002/pssr.201800112 Scopus
34	Akiyama R. , Sumida K. , Ichinokura S. , Nakanishi R. , Kimura A. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Hasegawa S. Shubnikov–de Haas Oscillations in p and n-type Topological Insulator (BixSb1−x)2Te3 Journal of Physics Condensed Matter. 2018. V.30. N26. 265001 :1-8. DOI: 10.1088/1361-648x/aac59b Scopus
35	Сурнин Ю.А. , Климовских И.И. , Состина Д.М. , Кох К.А. , Терещенко О.Е. , Шикин А.М. Влияние ультратонких пленок Pb на поверхностные топологические и квантово-размерные состояния топологических изоляторов Bi2Se3 и Sb2Te3 Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2018. №4. С.649-655. DOI: 10.7868/s0044451018040120
36	Surnin Y.A. , Klimovskikh I.I. , Sostina D.M. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Shikin A.M. Impact of Ultrathin Pb Films on the Topological Surface and Quantum-Well States of Bi2Se3 and Sb2Te3 Topological Insulators Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2018. V.126. N4. P.535-540. DOI: 10.1134/S1063776118040088 Scopus
37	Ketterl A.S. , Otto S. , Bastian M. , Andres B. , Gahl C. , Minár J. , Ebert H. , Braun J. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Fauster T. , Weinelt M. Origin of Spin-Polarized Photocurrents in the Topological Surface States of Bi2Se3 Physical Review B (started in 2016). 2018. V.98. N15. 155406 :1-7. DOI: 10.1103/physrevb.98.155406 Scopus
38	Yoshikawa T. , Ishida Y. , Sumida K. , Chen J. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Shin S. , Kimura A. Enhanced Photovoltage on the Surface of Topological Insulator via Optical Aging Applied Physics Letters. 2018. V.112. N19. 192104 :1-5. DOI: 10.1063/1.5008466 Scopus
39	Zhuravlev K.S. , Malin T.V. , Mansurov V.G. , Tereshenko O.E. , Abgaryan K.K. , Reviznikov D.L. , Zemlyakov V.E. , Egorkin V.I. , Parnes Y.M. , Tikhomirov V.G. , Prosvirin I.P. AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors Semiconductors. 2017. V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277 WOS Scopus РИНЦ
40	Журавлев К.С. , Малин Т.В. , Мансуров В.Г. , Терещенко О.Е. , Абгарян К.К. , Ревизников Д.Л. , Земляков В.Е. , Егоркин В.И. , Парнес Я.М. , Тихомиров В.Г. , Просвирин И.П. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов Физика и техника полупроводников. 2017. Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287 RSCI РИНЦ
41	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Rodionov A.A. , Chistokhin I.B. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. Solar Energy Converters Based on Multi-Junction Photoemission Solar Cells Scientific Reports. 2017. V.7. 16154 :1-9. DOI: 10.1038/s41598-017-16455-6 Scopus
42	Klimovskikh I.I. , Shikin A.M. , Otrokov M.M. , Ernst A. , Rusinov I.P. , Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Sánchez-Barriga J. , Varykhalov A.Y. , Rader O. , Kokh K.A. , Chulkov E.V. Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study Scientific Reports. 2017. V.7. 3353 :1-8. DOI: 10.1038/s41598-017-03507-0 Scopus
43	Rodionov A.A. , Golyashov V.A. , Chistokhin I.B. , Jaroshevich A.S. , Derebezov I.A. , Haisler V.A. , Shamirzaev T.S. , Marakhovka I.I. , Kopotilov A.V. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. , Tereshchenko O.E. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes Physical Review Applied (PRApplied). 2017. V.8. N3. 034026 :1-8. DOI: 10.1103/physrevapplied.8.034026 Scopus
44	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Loshkarev I.D. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshchenko O.E. Crystal Growth of Bi2Te3 and Noble Cleaved (0001) Surface Properties Journal of Solid State Chemistry. 2016. V.236. P.203-208. DOI: 10.1016/j.jssc.2015.07.031 WOS Scopus РИНЦ
45	Aksenov M.S. , Kokhanovskii A.Y. , Polovodov P.A. , Devyatova S.F. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Khandarkhaeva S.E. , Gutakovskii A.K. , Valisheva N.A. , Tereshсhenko O.E. InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ
46	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ
47	Valisheva N.A. , Aksenov M.S. , Golyashov V.A. , Levtsova T.A. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Kalinkin A.V. , Prosvirin I.P. , Bukhtiyarov V.I. , Tereshchenko O.E. Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ
48	Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Makarenko S.V. , Romanyuk K.N. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Tereshchenko O.E. , Kozhukhov A.S. , Sheglov D.V. , Eremeev S.V. , Borisova S.D. , Chulkov E.V. Inertness and Degradation of (0001) Surface of Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Applied Physics. 2012. V.112. N11. P.113702. DOI: 10.1063/1.4767458 WOS Scopus РИНЦ
49	Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И. Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ
50	Терещенко О.Е. , Паулиш А.Г. , Неклюдова М.А. , Шамирзаев Т.С. , Ярошевич А.С. , Просвирин И.П. , Жаксылыкова И.Э. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Варнаков С.Н. , Рауцкий М.В. , Волков Н.В. , Овчинников С.Г. , Латышев А.В. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов. Письма в Журнал технической физики. 2012. Т.38. №1. С.27-36. РИНЦ

Тезисы докладов (5) Подробнее

1	Semenova O. , Shmakov A. , Sharafutdinov M. , Tereshhenko O. Structure and Phase Transitions Study of New Semiconducting Organo-Mineral Perovskite В сборнике International Conference "Synchrotron and Free Electron Laser Radiation: Generation and Application" : Book of abstracts. – Alexpress., 2018. – C.91. – ISBN 9785904968069.
2	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов С.Н. , Аксёнов М.С. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бухтияров В.И. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных), посвящённые 50-летию образования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Тезисы докладов. 2014. – C.72.
3	Калинкин А.В. , Смирнов М.Ю. , Сорокин А.М. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е. , Бухтияров В.И. Исследование модельных катализаторов и полупроводниковых материалов методом РФЭС с использованием вакуумного источника NO2 В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.28. – ISBN 9785901688281.
4	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.
5	Черков А.Г. , Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Гутаковский А.К. , Просвирин И.П. , Левцова Т.А. Исследование влияния фтора на структуру и состав анодных оксидных слоев на InAs (111) Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т.10. №1-2. С.204-206. РИНЦ

Доклады на конференциях (8) Подробнее

1	Терещенко О.Е. , Голяшов В.А. , Николенко А.Д. , Бухтияров А.В. , Зубавичус Я.В. Фотоэмиссионная спектроскопия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротронном источнике СКИФ Нанофизика и наноэлектроника : XXVI Международный симпозиум 14-17 мар. 2022
2	Николенко А.Д. , Бухтияров А.В. , Терещенко О.Е. , Золотарев К.В. Станции мягкого рентгеновского диапазона для первой очереди ЦКП СКИФ Нанофизика и наноэлектроника : XXVI Международный симпозиум 14-17 мар. 2022
3	Терещенко О.Е. , Голяшов В.А. , Бухтияров А.В. , Зубавичус Я.В. Фотоэмиссия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой фотоэмиссионной установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротроне СКИФ XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников 14-19 февр. 2022
4	Bukhtiyarov A.V. , Nikolenko A.D. , Prosvirin I.P. , Tereshchenko O.E. , Kvon R.I. “Electronic Structure” Beamline 1-6 at SKIF Synchrotron Facility International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: generation and application" 13-17 Jul 2020
5	Semyonova O.I. , Shmakov A.N. , Sharafutdinov M.R. , Tereshchenko O.E. Structure and Phase Transitions Study of New Semiconducting Organo-Mineral Perovskite The International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: generation and application" 25-28 Jun 2018
6	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов С.Н. , Аксёнов М.С. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бухтияров В.И. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных) 15-18 сент. 2014
7	Калинкин А.В. , Смирнов М.Ю. , Сорокин А.М. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е. , Бухтияров В.И. Исследование модельных катализаторов и полупроводниковых материалов методом РФЭС с использованием вакуумного источника NO2 XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013
8	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013