Articles - Sciact

Articles (82)

#	Публикация
61	Kovchavtsev A.P. , Aksenov M.S. , Tsarenko A.V. , Nastovjak A.E. , Pogosov A.G. , Pokhabov D.A. , Tereshchenko O.E. , Valisheva N.A. Influence of Quantizing Magnetic Field and Rashba Effect on Indium Arsenide Metal-Oxide-Semiconductor Structure Accumulation Capacitance Journal of Applied Physics. 2018. V.123. N17. 173901 :1-7. DOI: 10.1063/1.5018670 WOS Scopus ANCAN OpenAlex
62	Storz O. , Sessi P. , Wilfert S. , Dirker C. , Bathon T. , Kokh K. , Tereshchenko O. , Bode M. Landau Level Broadening in the Three-Dimensional Topological Insulator Sb2Te3 Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2018. V.12. N11. 1800112 :1-5. DOI: 10.1002/pssr.201800112 WOS Scopus ANCAN OpenAlex
63	Akiyama R. , Sumida K. , Ichinokura S. , Nakanishi R. , Kimura A. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Hasegawa S. Shubnikov–de Haas Oscillations in p and n-type Topological Insulator (BixSb1−x)2Te3 Journal of Physics Condensed Matter. 2018. V.30. N26. 265001 :1-8. DOI: 10.1088/1361-648x/aac59b WOS Scopus ANCAN PMID OpenAlex
64	Zhuravlev K.S. , Malin T.V. , Mansurov V.G. , Tereshenko O.E. , Abgaryan K.K. , Reviznikov D.L. , Zemlyakov V.E. , Egorkin V.I. , Parnes Y.M. , Tikhomirov V.G. , Prosvirin I.P. AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors Semiconductors. 2017. V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277 WOS Scopus РИНЦ AN OpenAlex
65	Журавлев К.С. , Малин Т.В. , Мансуров В.Г. , Терещенко О.Е. , Абгарян К.К. , Ревизников Д.Л. , Земляков В.Е. , Егоркин В.И. , Парнес Я.М. , Тихомиров В.Г. , Просвирин И.П. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов Физика и техника полупроводников. 2017. Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287RSCI РИНЦ OpenAlex
66	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Rodionov A.A. , Chistokhin I.B. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. Solar Energy Converters Based on Multi-Junction Photoemission Solar Cells Scientific Reports. 2017. V.7. 16154 :1-9. DOI: 10.1038/s41598-017-16455-6 WOS Scopus ANCAN PMID OpenAlex
67	Klimovskikh I.I. , Shikin A.M. , Otrokov M.M. , Ernst A. , Rusinov I.P. , Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Sánchez-Barriga J. , Varykhalov A.Y. , Rader O. , Kokh K.A. , Chulkov E.V. Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study Scientific Reports. 2017. V.7. 3353 :1-8. DOI: 10.1038/s41598-017-03507-0 WOS Scopus ANCAN PMID OpenAlex
68	Rodionov A.A. , Golyashov V.A. , Chistokhin I.B. , Jaroshevich A.S. , Derebezov I.A. , Haisler V.A. , Shamirzaev T.S. , Marakhovka I.I. , Kopotilov A.V. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. , Tereshchenko O.E. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes Physical Review Applied (PRApplied). 2017. V.8. N3. 034026 :1-8. DOI: 10.1103/physrevapplied.8.034026 WOS Scopus ANCAN OpenAlex
69	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Loshkarev I.D. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshchenko O.E. Crystal Growth of Bi2Te3 and Noble Cleaved (0001) Surface Properties Journal of Solid State Chemistry. 2016. V.236. P.203-208. DOI: 10.1016/j.jssc.2015.07.031 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
70	Aksenov M.S. , Kokhanovskii A.Y. , Polovodov P.A. , Devyatova S.F. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Khandarkhaeva S.E. , Gutakovskii A.K. , Valisheva N.A. , Tereshсhenko O.E. InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. 173501 :1-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
71	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
72	Valisheva N.A. , Aksenov M.S. , Golyashov V.A. , Levtsova T.A. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Kalinkin A.V. , Prosvirin I.P. , Bukhtiyarov V.I. , Tereshchenko O.E. Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
73	Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Makarenko S.V. , Romanyuk K.N. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Tereshchenko O.E. , Kozhukhov A.S. , Sheglov D.V. , Eremeev S.V. , Borisova S.D. , Chulkov E.V. Inertness and Degradation of (0001) Surface of Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Applied Physics. 2012. V.112. N11. P.113702. DOI: 10.1063/1.4767458 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
74	Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I. Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
75	Tereshhenko O.E. , Paulish A.G. , Neklyudova M.A. , Shamirzaev T.S. , Yaroshevich A.S. , Prosvirin I.P. , Zhaksylykova I. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Varnakov S.N. , Rautskii M.V. , Volkov N.V. , Ovchinnikov S.G. , Latyshev A.V. Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin Technical Physics Letters. 2012. V.38. N1. P.12-16. DOI: 10.1134/S1063785012010154 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
76	Терещенко О.Е. , Паулиш А.Г. , Неклюдова М.А. , Шамирзаев Т.С. , Ярошевич А.С. , Просвирин И.П. , Жаксылыкова И.Э. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Варнаков С.Н. , Рауцкий М.В. , Волков Н.В. , Овчинников С.Г. , Латышев А.В. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов. Письма в Журнал технической физики. 2012. Т.38. №1. С.27-36. РИНЦ
77	Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И. Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ
78	Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Просвирин И.П. , Шкляев А.А. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.94. №6. С.500-503. РИНЦ
79	Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Atuchin V.V. , Romanyuk K.N. , Makarenko S.V. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Shklyaev A.A. Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex
80	Golyashov V.A. , Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Preobrazhensky V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Tereshhenko O.E. Formation of HfO2/GaAs(001) Interface with Si Interlayer In compilation 2011 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings. 2011. – C.34-36. DOI: 10.1109/EDM.2011.6006887 Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex

4 / 5 - Total 82 records

Filter

field.name

Year

DOI

Abstract

Order

Columns

Per page

Reset