Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Разделы:

  • Статьи
  • Книги
  • Доклады на конференциях
  • Тезисы докладов
  • Патенты

Статьи (85)

# Публикация
81 Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Makarenko S.V. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshhenko O.E.
Formation of Inert Bi2Se3(0001) Cleaved Surface
Crystal Growth and Design. 2011. V.11. N12. P.5507-5514. DOI: 10.1021/cg201163v WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
82 Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Просвирин И.П. , Шкляев А.А.
Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.94. №6. С.500-503. РИНЦ
83 Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Atuchin V.V. , Romanyuk K.N. , Makarenko S.V. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Shklyaev A.A.
Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
84 Golyashov V.A. , Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Preobrazhensky V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Tereshhenko O.E.
Formation of HfO2/GaAs(001) Interface with Si Interlayer
В сборнике 2011 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings. 2011. – C.34-36. DOI: 10.1109/EDM.2011.6006887 Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
85 Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Levtsova T.A. , Rodjakina E.E. , Kovchavcev A.V.
Composition and Morphology of Fluorinated Anodic Oxides on InAs (1 1 1)A Surface
Applied Surface Science. 2010. V.256. N19. P.5722-5726. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.100 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
  • « Назад
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • Вперед »
5   /  5   -  Всего 85 записей

Фильтр

Сортировка

Поле Направление

Столбцы

Сбросить