|
81
|
Valisheva N.A.
, Tereshchenko O.E.
, Prosvirin I.P.
, Kalinkin A.V.
, Goljashov V.A.
, Levtzova T.A.
, Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition
Semiconductors. 2012.
V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239
WOS
Scopus
РИНЦ
CAPlusCA
OpenAlex
|
|
82
|
Терещенко О.Е.
, Паулиш А.Г.
, Неклюдова М.А.
, Шамирзаев Т.С.
, Ярошевич А.С.
, Просвирин И.П.
, Жаксылыкова И.Э.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Варнаков С.Н.
, Рауцкий М.В.
, Волков Н.В.
, Овчинников С.Г.
, Латышев А.В.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов.
Письма в Журнал технической физики. 2012.
Т.38. №1. С.27-36.
РИНЦ
|
|
83
|
Atuchin V.V.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Korolkov I.V.
, Kozhukhov A.S.
, Kruchinin V.N.
, Makarenko S.V.
, Pokrovsky L.D.
, Prosvirin I.P.
, Romanyuk K.N.
, Tereshhenko O.E.
Formation of Inert Bi2Se3(0001) Cleaved Surface
Crystal Growth and Design. 2011.
V.11. N12. P.5507-5514. DOI: 10.1021/cg201163v
WOS
Scopus
РИНЦ
CAPlusCA
OpenAlex
|
|
84
|
Терещенко О.Е.
, Кох К.А.
, Атучин В.В.
, Романюк К.Н.
, Макаренко С.В.
, Голяшов В.А.
, Кожухов А.С.
, Просвирин И.П.
, Шкляев А.А.
Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011.
Т.94. №6. С.500-503.
РИНЦ
|
|
85
|
Tereshchenko O.E.
, Kokh K.A.
, Atuchin V.V.
, Romanyuk K.N.
, Makarenko S.V.
, Golyashov V.A.
, Kozhukhov A.S.
, Prosvirin I.P.
, Shklyaev A.A.
Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011.
V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159
WOS
Scopus
РИНЦ
CAPlusCA
OpenAlex
|
|
86
|
Golyashov V.A.
, Aksenov M.S.
, Valisheva N.A.
, Prosvirin I.P.
, Kalinkin A.V.
, Preobrazhensky V.V.
, Putyato M.A.
, Semyagin B.R.
, Tereshhenko O.E.
Formation of HfO2/GaAs(001) Interface with Si Interlayer
В сборнике
2011 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings.
2011.
– C.34-36. DOI: 10.1109/EDM.2011.6006887
Scopus
РИНЦ
CAPlusCA
OpenAlex
|
|
87
|
Valisheva N.A.
, Tereshchenko O.E.
, Prosvirin I.P.
, Levtsova T.A.
, Rodjakina E.E.
, Kovchavcev A.V.
Composition and Morphology of Fluorinated Anodic Oxides on InAs (1 1 1)A Surface
Applied Surface Science. 2010.
V.256. N19. P.5722-5726. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.100
WOS
Scopus
РИНЦ
CAPlusCA
OpenAlex
|